[发明专利]一种HKMG器件的制备方法在审
| 申请号： | 201510532360.0 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105206521A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hkmg 器件 制备 方法 | ||
1.一种HKMG器件的制备方法，包括：
步骤1：提供半导体衬底；
步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、氮化硅膜和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；
步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；
步骤4：刻蚀去除栅极区域的多晶硅；
步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和氮化硅膜；
步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。
2.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，采用原子位沉积方法在所述厚栅氧上沉积所述氮化硅膜和二氧化硅膜。
3.如权利要求1或2所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为40～100埃，所述二氧化硅膜的厚度为20～100埃。
4.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述步骤3包括：
步骤31：在所述多晶硅上待形成栅极的区域涂覆光刻胶；
步骤32：以所述光刻胶为掩膜，以半导体衬底为截止层，刻蚀栅极区域以外的所述多晶硅、二氧化硅膜、氮化硅膜和厚栅氧，以形成凹槽；
步骤33：在所述凹槽内的所述半导体衬底上以及凹槽边缘形成刻蚀停止层，并在所述凹槽中填充绝缘材料形成隔离层。
5.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，采用湿法剥离工艺去除剩余的二氧化硅膜和氮化硅膜。
6.如权利要求5所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，采用DHF去除剩余的二氧化硅膜，采用磷酸去除所述氮化硅膜。
7.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，在形成核心低电压器件时，所述步骤6包括：剥离去除所述厚栅氧，并在半导体衬底上依次沉积初始氧化层，在所述初始氧化层上依次填充高k介质层、功函数金属层和金属栅材料。
8.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，在形成IO器件时，所述步骤6包括：在所述厚栅氧上依次填充高k介质层、功函数金属层和金属栅材料。
9.如权利要求7或8所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述金属栅材料采用铝，所述厚栅氧采用二氧化硅。
10.如权利要求1所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，采用干法刻蚀工艺去除栅极区域的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
