[发明专利]源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括在衬底中形成源极/漏极结构以及在源极/漏极结构上方形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括实施退火工艺，从而使得部分金属层与源极/漏极结构反应，以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括实施蚀刻工艺以去除金属化层上的金属层的未反应的部分，以及在金属化层上方形成接触件。此外，蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且蚀刻溶剂包括(a)第一组分，包括H₂SO₄、HCl、HF、H₃PO₄或NH₄OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯、碳酸亚乙酯、碳酸二乙酯、乙腈或它们的组合。本发明实施例还涉及源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法。

技术领域

本发明实施例涉及源极/漏极结构上方具有接触件的半导体结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子装置。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

对计算机中的增大的性能的一个重要的驱动力是电路的更高的集成度。这通过使给定芯片上的器件尺寸微型化或缩小来实现。公差在能够缩小芯片的尺寸上起着重要作用。

然而，虽然现有的半导体制造工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但是随着器件继续按比例缩小，它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，根据本发明的一些实施例，提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底中形成源极/漏极结构；在所述源极/漏极结构上方形成金属层；实施退火工艺，从而使得部分所述金属层与所述源极/漏极结构反应，以在所述源极/漏极结构上形成金属化层；实施蚀刻工艺以去除所述金属化层上的所述金属层的未反应的部分；以及在所述金属化层上方形成接触件，其中，所述蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且所述蚀刻溶剂包括：(a)第一组分，包括H₂SO₄、HCl、HF、H₃PO₄或NH₄OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯(PC)、碳酸亚乙酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、乙腈或它们的组合。

根据本发明的另一些实施例，提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成具有顶部和底部的凸起的源极/漏极结构；在所述凸起的源极/漏极结构的所述顶部上方形成金属层；实施退火工艺，从而使得部分所述金属层与所述凸起的源极/漏极结构的所述顶部反应以形成金属化层；实施蚀刻工艺以去除所述金属化层上的所述金属层的未反应的部分；以及在所述金属化层上方形成接触件，其中，所述蚀刻工艺包括使用蚀刻溶剂，并且所述蚀刻溶剂包括：(a)第一组分，包括H₂SO₄、HCl、HF、H₃PO₄或NH₄OH；和(b)第二组分，包括碳酸丙烯酯(PC)、碳酸亚乙酯(EC)、碳酸二乙酯(DEC)、乙腈或它们的组合。

根据本发明的又一些实施例，提供了一种半导体结构，包括：衬底；凸起的源极/漏极结构，形成在所述衬底上方并且具有顶部和底部；金属化层，形成在所述凸起的源极/漏极结构的所述顶部上方；以及接触件，覆盖所述金属化层，其中，所述凸起的源极/漏极结构在所述底部处具有凹痕。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明实施例的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A-1至图1M是根据一些实施例的形成半导体结构的各个阶段的立体图和截面图。