[发明专利]微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法有效
| 申请号: | 201510528324.7 | 申请日: | 2015-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN105093155B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
| 发明(设计)人: | 杨建中;刘幂;尤政;李滨;阮勇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 张大威 |
| 地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微机 系统 mems 磁通门 磁强计 测试 及其 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及MEMS器件测试技术领域,特别涉及一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统。
背景技术
MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)技术在近几年得到了迅速发展,MEMS微器件具有体积小、重量轻、集成度高、使用寿命长、易于大批量生产等优点,使得其被广泛应用到了军事领域及民用领域。随着MEMS技术的不断成熟,也有越来越多的传感器和执行器采用MEMS工艺制造,MEMS磁通门磁强计就是利用MEMS技术制造的微型磁强计。MEMS磁通门磁强计的加工涉及到了光刻、电镀、溅射、刻蚀等MEMS工艺,前后几十道工序,其中任何一道工序不合格都会对最终加工的磁强计性能产生影响。磁强计探头加工完成后,需要将探头进行封装以进行下一步测试,但是由于封装工艺单价高昂,如果能在探头封装之前就能对探头进行简单测试,以确定探头的性能,剔除次品,这样将能大大节约成本。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述相关技术中的技术问题之一。
为此,本发明的一个目的在于提供一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统,该系统能在MEMS器件封装之前对MEMS器件的功能进行测试,以确定MEMS器件能否满足功能需求,具有成本低、结构简单、易于实现的优点。
本发明的另一个目的在于提出一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统的控制方法。
为了实现上述目的,本发明第一方面的实施例提出了一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统,包括:激励信号源,用于为所述测试系统提供激励信号;基座;三轴微动平台,所述三轴微动平台与所述基座固定相连,所述三轴微动平台用于对微机电系统MEMS磁通门磁强计的位置进行调整;芯片固定装置,所述芯片固定装置用于固定所述微机电系统MEMS磁通门磁强计,所述芯片固定装置设置在所述三轴微动平台的顶部,以跟随所述三轴微动平台移动;探针卡,所述探针卡分别与所述基座、激励信号源和所述微机电系统MEMS磁通门磁强计连接,用于在与所述微机电系统MEMS磁通门磁强计导通时,导出所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号;数据采集装置,所述数据采集装置与所述探针卡相连,用于采集所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号;处理装置,所述处理装置与所述数据采集装置相连,用于接收所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号,并对所述输出信号进行锁相放大,以得到测试结果。
根据本发明实施例的微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统,能在MEMS器件封装之前对MEMS器件的功能进行测试,以确定MEMS器件能否满足功能需求,具有成本低、结构简单、易于实现的优点。
另外,根据本发明上述实施例的微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统还可以具有如下附加的技术特征:
在一些示例中,所述基座通过铜柱与所述探针卡固定相连。
在一些示例中,所述芯片固定装置根据所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的尺寸由3D打印机打印,以固定所述微机电系统MEMS磁通门磁强计。
在一些示例中,所述芯片固定装置具有一个对应所述微机电系统MEMS磁通门磁强计形状的浅槽,所述浅槽的一端开口以便于安装和取出所述微机电系统MEMS磁通门磁强计。
在一些示例中,所述探针卡由PCB板和与PCB板固定连接的探针组成,所述探针卡的探针数量和间距根据被测的微机电系统MEMS磁通门磁强计的引脚位置确定,探针位置与所述被测的微机电系统MEMS磁通门磁强计的引脚位置完全匹配。
在一些示例中,其中,所述数据采集装置通过导线与所述探针卡相连,以将所述探针卡导出的所述输出信号进行AD转换,并将AD转换后的信号传输至所述处理装置。
在一些示例中,所述处理装置包括:控制模块,所述控制模块用于控制所述数据采集装置采集所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号;数字锁相放大器,用于提取所述微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号中的二倍频幅值。
在一些示例中,所述数据采集装置为安捷伦示波器。
在一些示例中,所述激励信号源为函数发生器,所述激励信号为预设频率的正弦波。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510528324.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电子式电能表的误差调试方法
- 下一篇:一种大量程交流电电流试验装置





