[发明专利]无机磷光体和包含其的发光装置在审
| 申请号: | 201510519293.9 | 申请日: | 2015-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN105385443A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
| 发明(设计)人: | M·D·罗马内利;M·A·洛伊格斯;A·C·托马斯;Y·田 | 申请(专利权)人: | LIGHTSCAPE材料公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号: | C09K11/65 | 分类号: | C09K11/65;F21V9/10 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 樊云飞;陈哲锋 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 无机 磷光体 包含 发光 装置 | ||
1.一种磷光体,其包含:
由式(1)表示的无机发光化合物
M(I)cM(II)aSi5NxCyOz:EU2+b(1)
其中M(I)是从由以下组成的群组中选出的单价物质:Li、Na、K、F、Cl、Br和I;
其中M(II)是从由以下中的至少一者组成的群组中选出的二价阳离子:Mg、Ca、Sr和Ba;
其中1.7≤a≤2;0<b≤0.1;0≤c≤0.1;5≤x≤8;0≤y≤1.5;0≤z≤5;
其中所述磷光体在用具有455nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES455;其中所述发射光谱ES455可解析成第一高斯发射曲线(firstGaussianemissioncurve)和第二高斯发射曲线(secondGaussianemissioncurve);其中所述第一高斯发射曲线具有第一高斯发射曲线峰值P1;其中所述第一高斯发射曲线峰值P1在峰值1峰值波长PλP1处具有峰值1高度HP1;其中所述第二高斯发射曲线具有第二高斯发射曲线峰值P2;其中所述第二高斯发射曲线峰值P2在峰值2峰值波长PλP2处具有峰值2高度HP2;其中PλP1<PλP2;其中所述发射光谱ES455的峰值比PR≥1,如通过以下方程式测定
PR=HP1/HP2。
2.根据权利要求1所述的磷光体,其中所述第二高斯发射曲线的半幅值全宽FWHMP2<100nm。
3.根据权利要求1所述的磷光体,其中所述第一高斯发射曲线具有峰值1面积AP1,并且所述第二高斯发射曲线具有峰值2面积AP2;其中所述发射光谱ES455的面积比AR≥0.6,如通过以下方程式测定
AR=AP1/AP2。
4.根据权利要求1所述的磷光体,其中0.01≤y≤1.5;0.01≤z≤5;并且y≠z。
5.根据权利要求4所述的磷光体,其中M(II)是Sr。
6.根据权利要求1所述的磷光体,其中所述磷光体在用具有453nm波长的单色光激励时呈现发射光谱ES453;其中所述发射光谱ES453的整体半幅值全宽FWHMoverall<90nm并且基于CIE1931色度图,CIEx>0.625。
7.根据权利要求1所述的磷光体,其进一步包含表面处理;其中所述表面处理施用于所述无机发光化合物的表面。
8.一种磷光体组合物,其包含:根据权利要求1所述的磷光体;和液体载剂;其中所述磷光体分散于所述液体载剂中。
9.一种照明设备,其包含:
光源,其中所述光源产生具有源发光光谱的光;和,
第一源发光光谱改质剂,其中所述第一源发光光谱改质剂是根据权利要求1所述的磷光体;
其中所述磷光体以辐射方式与所述光源偶合。
10.根据权利要求9所述的照明设备,其进一步包含至少一种其它磷光体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LIGHTSCAPE材料公司;陶氏环球技术有限责任公司,未经LIGHTSCAPE材料公司;陶氏环球技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510519293.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:闭式复动冲孔模具
- 下一篇:一种孔型药物涂层支架





