[发明专利]有机发光二极管以及包括其的有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201510508292.4 | 申请日: | 2015-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN105390522B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 金东赞;金元钟;金应道;徐东揆;林多慧;任相薰;秋昌雄 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;何可 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 以及 包括 发光 显示装置 | ||
本申请涉及有机发光二极管以及包括该有机发光二极管的有机发光显示装置。所述有机发光二极管包括彼此相向的第一电极和第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及在所述第一电极与所述发射层之间的空穴注入层,所述空穴注入层包含偶极材料,所述偶极材料包含具有不同极性的第一组分和第二组分。
技术领域
提供了有机发光二极管以及包括该有机发光二极管的有机发光显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)可替代阴极射线管(CRT)以有助于降低监视器和电视机的重量和厚度。为被动发光装置的液晶显示器需要单独的背光,并可能具有有限的响应速度和视角。
发明内容
可以通过提供有机发光二极管来实现实施方案,所述有机发光二极管包括彼此相向的第一电极和第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及在所述第一电极与所述发射层之间的空穴注入层,所述空穴注入层包含偶极材料,所述偶极材料包含具有不同极性的第一组分和第二组分。
所述第一组分可以为功函为4.0eV或大于4.0eV的金属或非金属,并且所述第二组分可以包含卤素。
所述第一组分可以包含Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、In和Zn中的一种或多种。
所述第二组分可以包含F、Cl、Br和I中的一种或多种。
所述偶极材料可以包含NiI2、CoI2、CuI、AgI、SnI2和InI3中的一种或多种。
所述有机发光二极管还可以包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子注入层。所述电子注入层可以具有3.0eV或小于3.0eV的功函,并且可以包含碱金属、碱土金属、稀土元素和过渡金属和其合金中的一种或多种。
所述电子注入层可以包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb和其合金中的一种或多种。
所述偶极材料的偶极矩可以为5德拜或大于5德拜。
所述第一组分可以包含碱金属、碱土金属、稀土元素和过渡金属中的一种或多种,并且所述第二组分可以包含卤素。
所述第一组分可以具有3.0eV或小于3.0eV的功函,并可以包含Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ce、Sm、Eu、Gd、Yb和其合金中的一种或多种。
所述空穴注入层还可以包含功函为4.3eV或大于4.3eV的金属。
所述功函为4.3eV或大于4.3eV的金属可以包括Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W和Zn中的一种或多种。
所述空穴注入层还可以包含相对介电常数为10或大于10的氧化物。
所述氧化物可以包括WO3、MoO3、Cu2O、Yb2O3、Sm2O3、Nb2O3、Gd2O3和Eu2O3中的一种或多种。
所述有机发光二极管还可以包括在所述发射层与所述空穴注入层之间的空穴传输层以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输层。所述空穴传输层和所述电子传输层可以包含有机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





