[发明专利]调整在双极半导体器件中的电荷载流子寿命

权利要求书

1.一种用于处理半导体主体的方法，包括：

经由第一表面将复合中心原子注入所述半导体主体中；以及

使所注入的复合中心原子在第一扩散过程中在所述半导体主体中扩散；

形成邻近所述第一表面和第二表面中的一个的在所述半导体主体中的掺杂区，其中所述第二表面与所述第一表面相对，其中所述掺杂区在所述第一扩散过程之后形成，

通过激活退火工艺或快速热退火工艺之一来激活所述掺杂区，使得没有发生所注入的复合中心原子的扩散或吸杂。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述复合中心原子包括贵金属原子。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述复合中心原子选自由下列项组成的组：

铂（Pt）原子；

金（Au）原子；以及

钯（Pd）。

4.如权利要求1所述的方法，其中注入所述复合中心原子包括以在1E11 cm^-2和1E14cm^-2之间的注入剂量注入所述复合中心原子。

5.如权利要求4所述的方法，其中注入所述复合中心原子包括以在5E11 cm^-2和5E12cm^-2之间的注入剂量注入所述复合中心原子。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一扩散过程包括在1小时和2小时之间的持续时间内将所述半导体主体加热到在650℃和950℃之间的温度。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

使由形成所述掺杂区产生的间隙在第二扩散过程中在所述半导体主体中远离所述第一表面和所述第二表面中的所述一个扩散。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二扩散过程包括在1小时和2小时之间的持续时间内将所述半导体主体加热到在500℃和所述第一扩散过程中的温度的最大值之间的温度。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述掺杂区包括将掺杂剂原子引入到所述第一表面和第二表面中的所述一个中，以及熔化所述半导体主体的、掺杂剂原子通过激光退火工艺被引入到的那些区段。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述激光退火工艺包括在所述第一表面和第二表面中的所述一个上形成抗反射涂层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述抗反射涂层包括氧化硅和氮化硅中的至少一个。

12.如权利要求9所述的方法，其中引入所述掺杂剂原子包括注入所述掺杂剂原子。

13.如权利要求1所述的方法，其中形成所述掺杂区包括将掺杂剂原子引入到所述第一表面和第二表面中的所述一个中，以及使所述半导体主体的、掺杂剂原子通过RTA工艺被引入到的至少那些区段退火。

14.如权利要求13所述的方法，其中提供所述掺杂剂原子包括经由所述第一表面和第二表面中的所述一个将所述掺杂剂原子注入所述半导体中。

15.如权利要求1所述的方法，其中注入所述复合中心原子包括通过散射层注入所述复合中心原子。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述散射层是在所述第一表面上的氧化物层。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述氧化物层包括在10纳米和20纳米之间的厚度。

18.如权利要求1所述的方法，

其中所述半导体主体包括第一导电类型的基本掺杂，以及

其中所述掺杂区是所述第一导电类型的区。