[发明专利]一种高折射率高韧性的耐硫化LED封装硅胶

说明书

技术领域

本发明涉及一种高折射率的LED封装硅胶，特别是涉及一种高折射率、耐硫化、耐冷热冲击的LED封装硅胶，属于胶粘剂技术领域。

背景技术

随着LED应用越来越广泛，对LED封装材料的要求也越来越高。LED目前所用封装材料主要有环氧树脂与有机硅材料，环氧树脂内应力过大，黄变，耐高低温性能差，耐老化性能差，而有机硅材料，内应力小，耐高低温性能好，不黄变，综合性能明显优于环氧树脂，因此迅速取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域。而折射率高于1.50的高折射率的有机硅胶，以其更高的取光效率，用量日益增长。

随着工业的发展，空气中的含硫量日益增加，如果封装材料选用不当，空气中的硫会穿过封装材料或其粘接界面，对支架的银层进行腐蚀，形成黑色硫化银，导致光衰急剧增加。因此这就给封装材料带来了新的挑战，必须提高耐硫化性能。

目前国内高折射率的LED封装硅胶虽然折射率可以达到1.50～1.55之间，但是由于配方设计上普遍采用含有硅树脂，乙烯基硅油、含氢硅油等配合，硅树脂相对含量低，交联密度低，而且粘接效果不理想，所以导致耐硫化差，粘接界面易破坏等，而高硅树脂含量，高交联密度的LED封装硅胶虽然耐硫化性能提高，但因其过高的内应力，会导致材料的韧性降低，反应在使用中高低温冷热冲击死灯、封装材料开裂、粘接界面失效等现象发生。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供一种高折射率的LED封装硅胶，具有硬度高、耐硫化、粘接性优异，且耐冷热冲击性能优异等有益效果。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种高折射率LED封装硅胶，包括A组分和B组分，所述A组分与B组分的重量比为10:1；

其中，所述A组分的原料组成及配比如下：

所述B组分的原料组成及配比如下：

甲基苯基含氢硅树脂40～60重量份；

端含氢二苯基聚硅氧烷40～60重量份；

抑制剂0.1～0.3重量份。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述甲基苯基乙烯基硅树脂的分子式为(ViMe₂SiO_1/2)_x(PhSiO_3/2)_y，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，x：y＝1:3.5～5。

采用上述进一步方案的有益效果是，作为基体树脂，是一种硅树脂，含有乙烯基,提高产品强度与硬度,提高耐硫化性能。

进一步，所述乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷的分子式为：(ViMe₂SiO_1/2)_a(ViMePh₂SiO_1/2)_b，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，10≤a≤70，10≤b≤70，并且a：b＝1:1。

采用上述进一步方案的有益效果是，乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷的加入提供了可以参与反应的乙烯基，降低体系固化后的应力，提高了耐冷热冲击的性能。

进一步，所述的粘接剂的结构式为：

本发明的粘接剂含有环氧基与烷氧基官能团，其结构式如上所示。粘接剂的加入，提高了封装材料对塑料及金属基材的粘接性，并且环体的存在，进一步提高了聚合物耐硫化性能。

进一步，所述铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物或铂-烯烃配合物。

优选的，所述铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物，并且铂含量为3000～10000ppm。

进一步，所述甲基苯基含氢硅树脂的分子式为：(HMe₂SiO_1/2)₃(MePhSiO_1/2)_n(PhSiO_3/2)₄，其中，所述Me为甲基，Ph为苯基，4≤n≤6。

采用上述进一步方案的有益效果是，本发明的甲基苯基含氢硅树脂作为交联剂，也是一种含氢的硅树脂，不仅提供了活泼氢参与交联反应，提高了交联密度，D链节(MePhSiO_1/2)的存在，提高了整个体系的韧性，提高了耐冷热冲击性能，并且粘度低，对于整个体系起到粘度降低，强度、韧性提高的作用。