[发明专利]一种异质结太阳电池电镀铜电极的制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池电镀铜电极的制备方法，包括如下步骤：

A.绝缘减反射膜沉积：硅片经制绒清洗、非晶硅沉积、TCO薄膜沉积后，在TCO薄膜表面沉积一层绝缘减反射膜；调节该减反射膜厚度与工艺参数，使其与TCO薄膜的折射率和电学性能匹配，形成双减反射层结构；

B.激光刻画：以绝缘减反射膜为掩膜层，利用激光烧灼掉所设计电极图形处的绝缘减反射膜，清洗后露出下方的TCO薄膜，即电镀铜附着位置；

C．电镀：通过电镀在目标图形处制备铜电极；

D.后续工艺：电镀完成后，不需腐蚀掉绝缘减反射膜的掩膜层，即可进行异质结电池的下一步工艺步骤。

2.根据权利要求1所述的异质结电池电镀铜电极的制备方法，其特征在于：在步骤A中，采用PECVD、PVD或RPD方式在TCO薄膜上沉积绝缘减反射膜，绝缘减反射膜为SiNx、SiOx、MgF、Al2O3、Si3N4或ZnS，绝缘减反射膜与TCO薄膜形成双减反射层结构，增强减反射膜的陷光效果。

3.根据权利要求1所述的异质结电池电镀铜电极的制备方法，其特征在于：在步骤A中，TCO薄膜沉积中采用透明导电材料作为阻挡层。

4.根据权利要求3所述的异质结电池电镀铜电极的制备方法，其特征在于：所述透明导电材料为In₂O₃、ITO、IWO、ITiO、AZO、GZO或FTO。

5.根据权利要求1所述的异质结电池电镀铜电极的制备方法，其特征在于：在步骤A中，所述绝缘减反射膜的厚度为0.01-10um。