[发明专利]半导体致冷件的制造方法在审
| 申请号： | 201510463096.X | 申请日： | 2015-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105047807A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;刘栓红;赵丽萍;张文涛;蔡水占;郭晶晶;张会超;陈永平;王东胜;惠小青;辛世明;田红丽 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/08 | 分类号： | H01L35/08;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 致冷 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.半导体致冷件的制造方法，半导体致冷件包括瓷板和半导体晶粒，瓷板的上面有一层金属化层，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的金属化层上还有一层金属镧的化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体致冷件的制造方法，其特征是：所述的金属镧的化合物是指氧化镧、碳酸镧、硝酸镧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体致冷件的制造方法，其特征是：所述的一层金属镧的化合物的厚度是1—3丝。
4.根据权利要求3所述的半导体致冷件的制造方法，其特征是：所述的一层金属镧的化合物的厚度是2丝。
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