[发明专利]一种重复单元结构TEM样品的定位方法

权利要求书

1.一种重复单元结构TEM样品的定位方法，所述TEM样品由聚焦离子束显微镜制备完成，所述重复单元结构内部或相邻结构之间没有填充物，其特征在于先对包含观测目标的重复单元结构区域分别叠加淀积不同致密度的第一和第二保护层，实施填充，再根据切割时重复单元结构内部或相邻结构之间填充物的疏密状况定位到观测目标。

2.如权利要求1所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，所述重复单元结构由相同尺寸和形貌的孔洞或沟槽图形组成，行列数大于20*20的矩阵。

3.如权利要求1所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，所述第一和第二保护层均为Pt或W构成的金属层，厚度均为0.3～1微米。

4.如权利要求1所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，所述第一保护层由高电压的电子束沉积而成，电压值为5～10KV。

5.如权利要求4所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，以观测目标为中心的第一保护层所覆盖区域的大小为3*3的重复单元矩阵，或0.5*0.5微米的正方形。

6.如权利要求1所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，所述第二保护层由低电压的电子束沉积而成，电压值为1～2KV。

7.如权利要求6所述的一种重复单元结构TEM样品的定位方法，其特征在于，第二保护层整体覆盖第一保护层，呈尺寸为10*2微米的长方形。

8.一种重复单元结构定点制备TEM样品的制样方法，其步骤为：

步骤S1以观测目标为中心淀积第一保护层；

步骤S2在第一保护层上方淀积并覆盖第二保护层，所述第二保护层的致密度小于第一保护层的致密度，且第二保护层完全覆盖第一保护层；

步骤S3制备第一切割面，定位目标观测点；

步骤S4制备第二切割面；

步骤S5取下样品，移出聚焦离子束显微镜，完成TEM样品制备。

9.如权利要求8所述的一种重复单元结构定点制备TEM样品的制样方法，其特征在于，步骤S3所述的制备第一切割面为，先使用大电流离子束切割样品，使得切割后的样品到由第一保护层覆盖填充的单元矩阵的第一排结构，再切换为小电流离子束继续切割样品，经由第二保护层覆盖边缘直至到达观测目标的位置，完成制备第一切割面。

10.如权利要求8所述的一种重复单元结构定点制备TEM样品的制样方法，其特征在于，步骤S4所述的第二切割面在第一切割面的反面，间距0.05～0.2微米，与第一切割面一起形成薄片TEM样品。