[发明专利]利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置

权利要求书

1.一种利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置，其特征在于：包括可调谐激光器、单模光纤、光纤环行器、半导体晶片、高带宽光电探测器和示波器；单模光纤位于核辐射脉冲出射半导体晶体的一侧；单模光纤与半导体晶片平面垂直，与半导体晶片表面接近；可调谐激光器输出激光通过另一单模光纤与光纤环行器的输入口(1)连接，光纤环行器的输出口(2)接单模光纤的一端，单模光纤的另一端用FC/APC型光纤接头贴近半导体晶片表面，光纤环行器的输出口(3)通过长距离单模光纤与高带宽光电探测器输入口相连，高带宽光电探测器输出口接示波器；所述半导体晶片厚度为300微米；可调谐激光器输出激光通过另一单模光纤导引到光纤环行器的输入口(1)，光纤环行器完成激光的单向传输；从光纤环行器的输出口(2)出射的激光，在空间中散开，照射在半导体晶片上；光纤环行器的输出口(2)通过单模光纤，将激光传输到半导体晶体表面，半导体晶体前表面和后表面反射的激光发生干涉，干涉光强呈一定的空间分布，一部分干涉光再次进入光纤环行器的输出口(2)，光纤环行器的输出口(2)将干涉光环行输出到光纤环行器的输出口(3)，经长距离单模光纤导引到高带宽光电探测器，高带宽光电探测器将激光光强度变化转换为电脉冲由示波器记录；所述半导体晶片的前表面和后表面均进行抛光处理。