[发明专利]高电压金属氧化物半导体晶体管设备

权利要求书

1.一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，包括：

半导体基底；

栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；

侧壁间隔物，位于所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上；

漏极结构，位于所述半导体基底中；

第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部分重叠；

源极结构，位于所述半导体基底中，并且远离所述漏极结构；以及

沟道区域；

其中，所述源极结构包括：第二离子井，位于所述第一离子井中并延伸至所述栅极下方以与所述栅极部分重叠；所述第一离子井和所述第二离子井具有相同的导电类型和不同的掺杂浓度；

其中，所述沟道区域由所述第一离子井和所述栅极之间的重叠区域和所述第二离子井和所述栅极之间的重叠区域组成。

2.如权利要求1所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述半导体基底、第一离子井、第二离子井均具有第一导电类型。

3.如权利要求2所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述源极结构还包括：

源极接触区域，位于所述第二离子井中，且具有第二导电类型；以及

轻掺杂漏极区域，位于所述第二离子井中，同时位于所述第一侧壁上的侧壁间隔物下方。

4.如权利要求1～3中任一项所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述漏极结构包括：

漂移区域，延伸至所述栅极下方以与所述栅极部分重叠；以及

漏极接触区域，位于所述漂移区域中；

其中所述漂移区域和漏极接触区域均具有第二导电类型。

5.如权利要求4所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述第一离子井与所述漂移区域相邻。

6.如权利要求4所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述漏极接触区域设置为与所述第二侧壁上的侧壁间隔物的边缘相邻。

7.如权利要求4所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述第二侧壁上的侧壁间隔物下方的漂移区域中没有提供轻掺杂漏极。

8.如权利要求1～3中任一项所述的所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述第二离子井的掺杂浓度大于所述第一离子井的掺杂浓度。

9.如权利要求8所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述第一离子井的掺杂浓度的范围在1×10¹⁵atoms/com³至1×10¹⁶atoms/com³之间；

和/或，所述第二离子井的掺杂浓度的范围在1×10¹⁵atoms/com³至5×10¹⁶atoms/com³之间。

10.如权利要求1所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，进一步包括：井提取区域，位于所述第二离了井中。

11.如权利要求1所述的所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述栅极包括：导电层，所述导电层包括：掺杂多晶硅、金属或者金属硅化物。

12.如权利要求4所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，进一步包括：金属硅化物阻挡层，其中所述漏极接触区域与所述金属硅化物阻挡层的边缘相邻。

13.如权利要求12所述的高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层覆盖所述第二侧壁上的侧壁间隔物，并且延伸至所述栅极的顶面。