[发明专利]一种调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法

权利要求书

1.一种调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述方法使用最高已占轨道(Highest Occupied Molecular Orbit，HOMO)能级或者最低未占轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbit，LUMO)能级与所述主体材料的HUMO或LUMO能级有差别的材料作为超薄功能层，将所述超薄功能层插入到白色有机电致发光二极管的发光层中，所述超薄功能层捕捉大量载流子，起到改变某种颜色发光权重的作用，从而调整白色有机电致发光二极管的白光光谱；对所述白色有机电致发光二极管的白光光谱的调整力度随着所述超薄功能层的厚度不同而不同；所述超薄功能层位于所述主体材料之中或者与所述主体材料相邻。

2.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述白色有机电致发光二极管包括：

红-绿-蓝(RGB)三色发光的白色有机电致发光二极管，和红-蓝(RB)或者红-橙(RO)或者橙-蓝(BO)两色发光的白色有机电致发光二极管。

3.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，

所述超薄功能层捕捉大量空穴，使得所述超薄功能层位置的空穴浓度增加，使得所述白色有机电致发光二极管的某种颜色的发光权重改变；或者

所述超薄功能层捕捉大量电子，使得所述超薄功能层位置的电子浓度增加，使得所述白色有机电致发光二极管的某种颜色的发光权重改变。

4.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述主体材料为有机电致发光二极管中支持发光材料发光、传导空穴和电子的材料，包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。

5.如权利要求4所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述发光材料包括荧光发光材料和磷光发光材料。

6.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述发光层是将所述发光材料掺杂在所述主体材料中制备而成，或者以超薄非掺杂发光层的形式存在。

7.如权利要求6所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述超薄非掺杂发光层是将发光材料作为独立的发光层、以非掺杂形式制备而成，厚度在0.01nm至5nm之间。

8.如权利要求4所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述电子传输型主体材料是电子传导率高于空穴传导率的材料，厚度在1nm至200nm之间；所述电子传输型主体材料包括Alq3、BPhen、Balq、BCP或TPBi。

9.如权利要求4所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述空穴传输型主体材料是空穴传导率高于电子传导率的材料，厚度在1nm至200nm之间；所述空穴传输型主体材料包括mCP、TCTA、TAPC、NPB、TmPyPB或MADN。

10.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述最高已占轨道(Highest Occupied Molecular Orbit，HOMO)能级或者最低未占轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbit，LUMO)能级与所述主体材料的HUMO或LUMO能级有差别是指超薄功能层材料的HUMO能级高于主体材料的HUMO能级，或者超薄功能层材料的LUMO能级低于主体材料的LUMO能级。

11.如权利要求10所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述超薄功能层材料包括Bephen、TPBi、NPB、TAPC、TmPyPB或BCP。

12.如权利要求1所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述超薄功能层的厚度在0.01nm至10nm之间。

13.如权利要求6所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述掺杂是指用所述发光材料通过热蒸镀或溶液制备法，与所述主体材料以掺杂比例混合制备到有机电致发光二极管中。

14.如权利要求13所述的调整白色有机电致发光二极管的白光光谱的方法，其特征在于，所述掺杂比例在所述热蒸镀制备方法中指所述发光材料蒸镀速率与所述发光材料和所述主体材料总体蒸镀速率的百分比例；在所述溶液制备方法中是指所述发光材料的质量与所述发光材料和所述主体材料总质量的质量比；所述掺杂比例从0.01％至99.99％。