[发明专利]闪烁体及其制造方法有效
| 申请号： | 201510423954.8 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105062477B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 户塚大辅;松本进;吉川彰;柳田健之 | 申请（专利权）人： | 日本结晶光学株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74;G21K4/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪烁 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪烁体，其是在以碘化铯CsI作为母体且含有铊Tl作为发光中心的结晶材料中掺混铋Bi而成的，所述闪烁体相对于碘化铯CsI中的Cs以0.015原子％～0.700原子％的比例含有铊Tl。
2.一种闪烁体，其是在以碘化铯CsI作为母体且含有铊Tl作为发光中心的结晶材料中掺混铋Bi而成的，其是相对于碘化铯CsI中的Cs以0.05原子％～1.00原子％的比例掺混铊Tl而成的。
3.一种闪烁体，其是将含有CsI原料、Tl原料和Bi原料的原料进行混合并进行加热熔融，然后使结晶生长从而得到的，所述闪烁体相对于CsI中的Cs以0.015原子％～0.700原子％的比例含有Tl。
4.一种放射线检测器，其是使用权利要求1～3中任一项所述的闪烁体而成的。
5.一种闪烁体的制造方法，所述闪烁体是在以碘化铯CsI作为母体且含有铊Tl作为发光中心的结晶材料中掺混铋Bi的闪烁体，所述闪烁体相对于碘化铯CsI中的Cs以0.015原子％～0.700原子％的比例含有铊Tl。
6.如权利要求5所述的闪烁体的制造方法，其中，相对于碘化铯CsI中的Cs以0.05原子％～1.00原子％的比例掺混铊Tl。
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