[发明专利]一种存储装置及存储阵列的读取方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包括：依次排布的闪存结构组成的存储阵列以及控制单元；

所述闪存结构包括半导体衬底、位线结构、字线结构、浮栅结构和控制栅结构；所述半导体衬底内部具有掺杂阱，所述掺杂阱形成源极和漏极；所述位线结构包括位线结构一和位线结构二，分别连接漏极和源极；所述字线结构位于所述位线结构一和位线结构二之间；所述浮栅结构包括浮栅结构一和浮栅结构二，分别位于所述字线结构和所述位线结构之间；所述控制栅结构包括控制栅结构一和控制栅结构二，分别位于所述浮栅结构的表面；所述位线结构、字线结构和浮栅结构均位于所述半导体衬底的表面；

所述控制单元适于在对所述闪存结构的浮栅结构进行读操作时施加-0.1V至-3V间的电压至与该浮栅结构对应的控制栅结线；所述控制栅结构包括控制栅和控制栅线，所述控制栅介质层位于所述控制栅表面。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述存储阵列包括：呈M行N列排布的所述闪存结构，M≥1，N≥1，且N为8的整数倍；

位于第n列闪存结构中的位线结构分别连接至所述第n列闪存结构中的位线，1≤n≤N；

位于同一行闪存结构的字线结构连接在一起形成字线，位于同一行闪存结构中的控制栅结构连接在一起形成控制栅线。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，每行中相邻两个所述闪存结构共用所述位线结构。

4.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，每行中相邻两个所述闪存结构为一组，每组闪存结构共用所述两个闪存结构之间的位线结构。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述控制单元还适于施加4.5V的电压至所述闪存结构中另一浮栅结构对应的控制栅线。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于，所述控制单元包括：低压预译码电路、电平移位器以及驱动电路；

所述低压预译码电路适于根据地址信息获取控制信号，以控制当前控制单元的工作状态；

所述电平移位器适于根据所述控制电平生成适于控制栅线的电压；

所述驱动电路包括两个输出端，适于基于所述适于控制栅线的实现对控制栅线电容负载的驱动。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其特征在于，所述驱动电路还包括控制端，适于接入选择信号；所述驱动电路适于基于选择信号控制所述驱动电路的两个输出端的输出电压。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，所述电平移位器包括：第一级电平移位器以及第二级电平移位器；

所述第一级电平移位器适于产生4.5V的输出电压；

所述第二级电平移位器适于产生-0.1V至-3V间的输出电压。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于，所述驱动电路适于在对闪存结构中浮栅结构进行读操作时，通过其中一个输出端向所述浮栅结构对应的控制栅线施加-0.1V至-3V间的电压，通过另一个输出端向所述闪存结构中另一浮栅结构对应的控制栅线施加4.5V的电压。