[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510412290.5 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104952935B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体氧化物层 沉积 源漏极 薄膜晶体管结构 刻蚀阻挡层 光刻 透明导电层 钝化层 绝缘板 基板 刻蚀 制备 沉积钝化层 栅极绝缘层 实际功能 依次设置 刻蚀源 漏极层 优化 | ||
1.一种薄膜晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上沉积并光刻栅极；
在所述栅极上方沉积栅极绝缘板；
在所述栅极绝缘板上方沉积并光刻半导体氧化物层；
在所述半导体氧化物层上方沉积并光刻源漏极层；
在对应于所述半导体氧化物层上方的所述源漏极层处，刻蚀所述源漏极层，形成刻蚀阻挡层；
在所述源漏极层和所述半导体氧化物层的上方沉积钝化层；
在所述钝化层上方沉积透明导电层；
其中，在所述半导体氧化物层上沉积所述源漏极层时，首先沉积所述源漏极层的底层，再沉积所述源漏极层的顶层，使所述源漏极层形成具有两层结构的复合层，其中，所述复合层的底层为掺杂Al的ZnO层，顶层为金属材料；
其中，沉积形成所述源漏极层的复合层后，针对所述源漏极层位于所述半导体氧化物层上方的部分和所述源漏极层的其他部分依次采用黄光工艺和刻蚀工艺进行处理，其中，所述源漏极层位于所述半导体氧化物层上方的部分在刻蚀后形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的结构为所述源漏极层底层的结构；
其中，形成所述刻蚀阻挡层后，利用离子注入方法向所述刻蚀阻挡层中注入氧离子以增加所述刻蚀阻挡层中氧元素的含量。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：采用离子注入方法后，在烘箱中加热活化所述半导体氧化物层和所述刻蚀阻挡层，使所述半导体氧化物层活化为半导体层，所述刻蚀阻挡层氧化为绝缘层。
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