[发明专利]有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板

权利要求书

1.一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，其特征在于，所述源极和漏极上设置有沟道层，所述沟道层中形成有使所述源极和漏极至少部分露出的沟道，所述沟道中填充有有机半导体层，所述有机半导体层与所述源极和漏极连接，所述有机半导体层上形成有图案；

所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出；在横向方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述沟道层的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构；

所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中一端或两端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

2.根据权利要求1所述的显示装置的背板，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述源极和漏极间隔开地设置在所述基底上，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述基底相接，所述栅极绝缘层位于所述沟道层上并覆盖所述有机半导体层，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上方。

3.根据权利要求1所述的显示装置的背板，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述栅极形成于所述基底上，所述栅极绝缘层设于所述基底上并覆盖所述栅极，所述源极和漏极间隔开地设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述栅极绝缘层相接。

4.根据权利要求2或3所述的显示装置的背板，其特征在于，所述栅极绝缘层是由可图案化的有机介电材料制成的。

5.根据权利要求1所述的显示装置的背板，其特征在于，所述分流道呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述分流道与所述沟道层连接一端的宽度大于远离所述沟道层一端的宽度。

6.一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，其特征在于，所述源极和漏极上设置有沟道层，所述沟道层中形成有使所述源极和漏极至少部分露出的沟道，所述沟道中填充有有机半导体层，所述有机半导体层与所述源极和漏极连接，所述有机半导体层上形成有图案；

所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出；在横向方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述沟道层的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构；

所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上连接有阻挡结构，所述阻挡结构与所述沟道相接并阻挡所述沟道。

7.根据权利要求6所述的显示装置的背板，其特征在于，涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

8.根据权利要求6所述的显示装置的背板，其特征在于，所述阻挡结构呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述阻挡结构与所述沟道连接一端的宽度大于远离所述沟道一端的宽度。

9.根据权利要求6所述的显示装置的背板，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述源极和漏极间隔开地设置在所述基底上，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述基底相接，所述栅极绝缘层位于所述沟道层上并覆盖所述有机半导体层，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上方。

10.根据权利要求6所述的显示装置的背板，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述栅极形成于所述基底上，所述栅极绝缘层设于所述基底上并覆盖所述栅极，所述源极和漏极间隔开地设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述栅极绝缘层相接。