[发明专利]鳍式场效应管基体制备方法有效
| 申请号： | 201510374139.7 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105161419B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 基体 制备 方法 | ||
1.一种鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于包括：
第一步骤，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在所述半导体材料层上形成图案化掩膜层；
第二步骤，利用图案化掩膜层对所述半导体材料层进行干法蚀刻，以形成半导体基体鳍形结构；
第三步骤，对半导体基体鳍形结构进行热氧化处理，使半导体基体鳍形结构表层形成氧化层；
第四步骤，执行湿法蚀刻以去除氧化层，以便形成梯形截面的鳍形半导体结构；
第五步骤，干法蚀刻梯形截面的鳍形半导体基体以形成三角形截面的鳍形沟道结构。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于还包括第六步骤，在垂直于鳍形沟道的方向上，依次沉积高介电材料层和金属材料层。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于还包括第六步骤，在垂直于鳍形沟道的方向上，依次沉积栅极氧化层和栅极多晶硅层。
4.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述半导体材料层的材料为单晶硅。
5.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述半导体材料层的材料为锗硅或碳硅。
6.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述图案化掩膜层由氮化硅和氧化硅构成。
7.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述图案化掩膜层由氮化硅构成。
8.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述图案化掩膜层由氧化硅构成。
9.根据权利要求1至3之一所述的鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于，所述半导体衬底是硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
