[发明专利]阵列基板制作的方法、掩膜板、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板制作的方法、掩膜板、阵列基板和显示装置。

背景技术

在TFT-LCD制造行业中，通常采用昂贵的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDesposition，等离子体增强化学气相沉积法)沉积氮化硅SiNx的化合物制作阵列基板，具体来说，借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，然后在基板上沉积得到期望的薄膜，并且需要衬底较高的温度，其中，如图1(a)所示，利用PECVD沉积法制作的阵列基板的横截面示意图，其中阵列基板包括衬底1、栅极2、栅绝缘层3、数据线4、保护层5、像素电极6，从图1(a)中可以看出阵列基板的表面平坦度较低，并且像素电极与栅线和数据线的交叠较小，图1(b)为利用PECVD沉积法制作的阵列基板的俯视图。

综上所述，目前现有技术中阵列基板的制作工艺较为复杂的问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板制作的方法、掩膜板、阵列基板以及显示装置，用以解决现有技术中阵列基板的制作工艺较为复杂的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板制作的方法，包括：

在形成源极和漏极的基板上涂覆负性有机膜；

通过掩膜板对涂覆有负性有机膜的基板进行曝光，并对曝光后基板进行显影，去除过孔区域的负性有机膜；

对所述过孔区域中的过孔刻蚀区域进行刻蚀，形成过孔；

在形成过孔后，形成氧化铟锡ITO像素电极。

由于在本发明实施例中采用的是在形成源极和漏极的基板上涂覆负性有机膜，与在形成源极和漏极的基板上采用PECVD沉积氮化硅的化合物相比，不仅简化了阵列基板的制作工艺，而且提高了阵列基板的开口率和透过率。

可选的，对涂覆有负性有机膜的基板进行曝光，具体包括：

通过采用具有过孔图案和ITO像素电极图案的掩膜板，对涂覆有负性有机膜的基板进行曝光；

其中，所述掩膜板中过孔图案的区域为不透光区域，所述掩膜板中ITO像素电极图案的区域为半透光区域，所述掩膜板中其它区域为透光区域。可选的，形成ITO像素电极，具体包括：

沉积氧化铟锡ITO；

在沉积ITO的基板上，涂覆光刻胶；

通过采用所述具有过孔图案和ITO像素电极图案的掩膜板，对涂覆光刻胶的基板进行曝光，并对曝光后的基板进行显影和刻蚀，形成ITO像素电极。由于在形成过孔的过程中和形成ITO像素电极的过程中，通过一张掩膜板进行曝光，从而降低了阵列基板制作的成本，同时降低了工艺的流程和工艺的难度。

可选的，对所述过孔区域中的过孔刻蚀区域进行刻蚀，具体包括：

对所述过孔区域中的过孔刻蚀区域进行SiNx干法刻蚀；

对曝光后的基板进行刻蚀，具体包括：

对曝光后的基板进行湿法刻蚀。可选的，所述负性有机膜为树脂材料。

可选的，对所述过孔区域中的过孔刻蚀区域进行刻蚀，具体包括：

对所述过孔区域中过孔刻蚀区域的栅绝缘层进行刻蚀。

本发明提供了一种用于上述阵列基板制造方法的掩膜板，包括：

不透光区域、半透光区域和透光区域；

其中，不透光区域对应过孔图案；半透光区域对应ITO像素电极图案。

可选的，所述不透光区域由铬膜制成，所述半透光区域由半透膜制成。

本发明提供了一种阵列基板，采用本发明实施例阵列基板制作方法制成的阵列基板。

本发明提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述阵列基板。

附图说明

图1(a)为现有技术中阵列基板的横截面示意图；

图1(b)为现有技术中阵列基板的俯视示意图；

图2为本发明实施例阵列基板制作方法的流程示意图；

图3(a)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(b)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(c)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(d)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(e)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(f)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(g)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(h)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图3(i)为本发明实施例阵列基板制作的示意图；

图4(a)为本发明实施例掩膜板的示意图；