[发明专利]包括自组装嵌段共聚物的膜和通过喷涂涂覆制造该膜的方法(Ic)

权利要求书

1.一种制备包括式(I)的二嵌段共聚物的多孔膜的方法：

其中：

R¹是C₁-C₂₂烷基基团，可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代，或C₃-C₁₁环烷基基团，可选地被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代；

R²是C₆-C₂₀的芳基基团或者杂芳基基团，可选地被选自羟基，氨基，卤素，烷氧基，烷基羰基，烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代；

R³和R⁴之一是C₆-C₁₄芳基基团，可选地被选自羟基，卤素，氨基和硝基的取代基取代，和R³和R⁴的另一个是C₁-C₂₂烷氧基基团，可选地被选自羧基，氨基，巯基，炔基，烯基，卤素，叠氮基和杂环基的取代基取代；和

n和m相对独立的是10至2000；

其中，在二嵌段共聚物中含有R²的单体的体积分数与含有R¹的单体之比为2.3到5.6：1，

所述方法包括：

(i)在溶剂体系里溶解所述二嵌段共聚物以获得聚合物溶液；

(ii)喷涂涂覆聚合物溶液到基材上；和

(iii)在包括溶剂或者溶剂混合物的蒸气里退火(ii)中获得的涂层以获得自组装结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中R¹是C₁₀-C₁₈烷基基团，可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中R²是苯基基团，可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中R³是苯基。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中R⁴是C₁-C₆烷氧基基团。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是10到200和m是50到2000。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是83到190和m是675到1525。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是105和m是870。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中式(I)的二嵌段共聚物具有如下结构：

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述溶剂体系包括选自卤代烃，醚，酰胺和亚砜的溶剂或者溶剂混合物。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述溶剂体系包括选自二氯甲烷，1-氯戊烷，氯仿，1,1-二氯乙烷，N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮，二甲亚砜，四氢呋喃，1,3-二氧六环和1,4-二氧六环的溶剂或者溶剂混合物。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述聚合物溶液包含3到8重量％的二嵌段共聚物。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述基材选自玻璃、硅晶片、金属板、塑料膜、织造或者非织造织物，和涂覆在玻璃基材上或硅晶片上的塑料膜。