[发明专利]一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，所述低压扩散工艺包括以下步骤：

a、抽真空：将硅片放置到扩散炉的反应腔室，关闭扩散炉的炉门，使用真空泵将扩散炉的反应腔室抽成50mbar～150mbar的真空状态；

b、充气体:将少量氮气与三氯氧磷冲入扩散炉的反应腔室内；

c、低压扩散：保持反应腔室内压力不变，低压扩散时间为700S～900S；

d、检测：检测低压扩散结果，使硅片表面方块电阻80Ω～120Ω／口、均匀性要求±3%以内，对不合格产品进行回收。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，在步骤c中，反应腔室内调节温度范围为830℃～860℃，扩散时间为750S～850S、气流量为900sccm～1300sccm。

3.根据权利要求1或2所述的一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，所述扩散炉为管式炉，所述反应腔室为管腔。

4.根据权利要求1或2所述的一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，所述硅片为P型硅片或N型硅片。

5.根据权利要求2所述的一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，在步骤a中，将反应腔室的管尾部的尾气抽风量减小至最大抽风量的1/3。

6.根据权利要求1或2所述的一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺，其特征在于，在步骤a中，检查扩散炉炉门的密封性。