[发明专利]一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法

权利要求书

1.一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，包括以下步骤：

提供第一衬底；

在所述第一衬底表面制备外延片，所述外延片结构至少包括第一氮化镓层、第二氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层；

制备N型和P型电极，将包含N型和P型电极的外延片键合于第二衬底上；

后利用湿法蚀刻剥离第一衬底形成倒装发光二极管结构；

其特征在于： 所述第一氮化镓层与第二氮化镓层之间还包括一物理气相沉积法沉积的氮化铝层；所述湿法蚀刻前还包括在第一衬底非外延层表面形成沟槽的步骤，所述沟槽的底部位于所述氮化铝层与第一氮化镓层接触表面或氮化铝层内部，以方便蚀刻溶液腐蚀氮化铝层，实现第一衬底的剥离。

2.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述第一衬底为蓝宝石平片衬底、蓝宝石图形化衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、玻璃衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述第二衬底为Si、SiC或Cu衬底。

4.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述湿法蚀刻溶液为NaOH、KOH、Ba(OH)₂、 RbOH、CsOH、FrOH中一种或几种的混合溶液。

5.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述氮化铝层厚度为1～10000埃。

6.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述沟槽采用激光切割或金刚石切割形成。

7.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述沟槽数目大于1。

8.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述沟槽在第一衬底非外延层表面形成网状分布结构。

9.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述N型和P型电极包括欧姆接触层、反光金属层和第一金属融合层。

10.根据权利要求9所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述反光金属层材料为铝或银或金材料。

11.根据权利要求1所述的一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，其特征在于：所述第一氮化镓层和第二氮化镓层均为厚度0.5~5微米的非掺杂层或N型掺杂层。