[发明专利]一种单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法

权利要求书

1.一种单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：

将Lu源、Gd源、Pr源放入过量的硝酸水溶液中，加热至沸腾溶解并除去过量HNO₃；

分别将Ce源、Al源、Ga源溶解在去离子水中制成溶液；

取步骤1）和步骤2）的溶液制成混合溶液，混合溶液为200体积份，在混合溶液中加入15-25体积份重量百分浓度为2%的聚乙二醇6000水溶液作为分散剂；

将400体积份的氨水溶液，在搅拌下滴加到步骤3）所制成的溶液中，或将所述步骤3）制成的溶液滴加到相同体积的氨水溶液中，沉淀完全，陈化2-4小时，使用循环水真空泵抽滤除去滤液，再使用等体积的去离子水洗涤5次，干燥得到Lu_3-xGd_xAl_5-yGa_yO₁₂:（Ce,Pr）前驱体粉末；

将所述Lu_3-xGd_xAl_5-yGa_yO₁₂:（Ce,Pr）前驱体粉末在氢气、氮气混合的气流中1000-1100℃煅烧36-48小时，即得到本发明的单芯片白光发光二极管用荧光粉。

2.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤1）中的硝酸水溶液的浓度为1M-3M。

3.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤1）和步骤2）中的所述Lu源、Gd源、Al源、Ga源、Ce源和Pr源分别为Lu₂O₃、Gd₂O₃、Tb₄O₇、Al(NO₃)₃·9H₂O、Ga(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃·6H₂O和Pr₆O₁₁。

4.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤1）中溶液浓度为0.1-0.5mol/L。

5.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤2）中溶液浓度为0.5-2mol/L。

6.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤4）中的氨水溶液浓度为1-4mol/L。

7.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤1）和步骤2）所使用的计量比为Lu:Gd:Al:Ga:Ce:Pr=3-x:x:5-y:y:0.04-0.06:0-0.06（x数值范围为0-1.5,y数值范围为0-4）。

8.根据权利要求1所述的单芯片白光发光二极管用荧光粉的制备方法，其特征在于：步骤5）中氢气/氮气=5/95，混合的气体流速为80-220ml/min。