[发明专利]用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管有效
| 申请号： | 201510321894.9 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104867968B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杨晓艳;韩凌;陈梅;魏刚;纪东峰 | 申请（专利权）人： | 四川众为创通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 赫兹 频段 gaas 大功率 肖特基 倍频 二极管 | ||
1.用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管，其特征在于，所述倍频二极管包括：
40个肖特基阳极结，倍频二极管采用4行结构，每行结构为10个肖特基结，每行结构左半部分5个肖特基结依次串联，每行结构右半部分5个肖特基结依次串联；4行结构采用并联的方式，4行结构的左半部分并联方向相同，4行结构的右半部分并联方向相同，每行结构的左半部分与每行结构的右半部分串联方向相反；其中，所述倍频二极管采用半绝缘GaAs层衬底，所述半绝缘GaAs层上设有重掺杂GaAs层和钝化层，所述重掺杂GaAs层上设有低掺杂GaAs层和欧姆接触金属层，所述低掺杂GaAs 层上有肖特基接触金属层和二氧化硅层，所述欧姆接触金属层上设有金属加厚层，所述金属加厚层与所述肖特基接触金属层通过空气桥相连。
2.根据权利要求1所述的倍频二极管，其特征在于，所述倍频二极管尺寸为：长560微米，宽260微米，高30微米，应用频率范围为100GHz到120GHz，每个肖特基阳极面积为36平方微米，结电容40fF，电阻为3欧姆，截止频率1.3THz，击穿电压为每个肖特基结为6V，每个肖特基阳极结能够承受输入功率30mW，所述的倍频二极管能够承受最大输入功率为1.2W。
3.根据权利要求1所述的倍频二极管，其特征在于，所述倍频二极管采用N-/N+的GaAs掺杂结构，其中，低掺杂GaAs层N-外延层掺杂浓度采用2e17cm-3，重掺杂GaAs层N+采用掺杂浓度为5e18cm-3。
4.根据权利要求1所述的倍频二极管，其特征在于，所述肖特基接触金属层自下而上依次为Ti、Pt、Au。
5.根据权利要求1所述的倍频二极管，其特征在于，所述欧姆接触金属层自下而上依次为Ni、Au、 Ge、Ni、Au。
6.根据权利要求1所述的倍频二极管，其特征在于，所述金属加厚层具体为Au层。
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