[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：

形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；

在形成所述第一非氧化物绝缘材料层之后还包括形成半导体层、源漏金属层和第二非氧化物绝缘材料层，所述第二非氧化物绝缘材料层形成于所述源漏金属层的上表面上；

采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时，还形成包括有源层、源电极和漏电极的图形，在该构图工艺完成后，在所述源电极和所述漏电极上均形成有第二非氧化绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一非氧化物绝缘材料层之后还包括形成半导体层；

采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时，还形成包括有源层的图形。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极和所述有源层的图形后，还包括以下步骤：

形成第三绝缘层，采用一次构图工艺形成包括过孔的图形，所述过孔形成在所述有源层对应的区域，所述过孔作为所述源电极和漏电极与所述有源层电连接的通道；

在所述第三绝缘层上依次形成第二电极层和源漏金属层，采用一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和第二电极的图形，在该构图工艺完成之后，在所述过孔位置处形成有位于所述源漏电极下方且属于所述第二电极层的第二子电极，所述源漏电极经由所述第二子电极与所述有源层电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极、所述有源层、所述源电极和所述漏电极的图形后，还包括以下步骤：

形成第三绝缘层，采用一次构图工艺形成包括过孔的图形，所述过孔形成于所述漏电极对应的区域且所述过孔贯穿所述第三绝缘层和所述第二非氧化物绝缘层，所述过孔作为所述漏电极与所述第二电极电连接的通道；

在所述绝缘层上形成第二电极层，采用一次构图工艺形成包括所述第二电极的图形。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形后，还包括以下步骤：

形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层上依次形成半导体层和源漏金属层，采用一次构图工艺对应形成包括有源层、源电极和漏电极的图形；

形成所述第二电极层，采用一次构图工艺对应形成包括所述第二电极的图形。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅金属层和所述源漏金属层的材料包括铜或铜合金。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一非氧化物绝缘材料层和所述第二非氧化物绝缘材料层的材料包括氮化硅或者氮化铝。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述第一电极后，还包括，对所述第一电极进行退火工艺。

9.根据权利要求3、4、5任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二电极为狭缝状电极。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-9任一所述的阵列基板的制备方法制作。

11.一种显示装置，其包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求10所述的阵列基板。