[发明专利]有机发光二极管封装方法以及封装结构在审
| 申请号: | 201510299124.9 | 申请日: | 2015-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN104835920A | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
| 发明(设计)人: | 李亚君;张军 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云;焦玉恒 |
| 地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 封装 方法 以及 结构 | ||
1.一种有机发光二极管(OLED)封装方法,包括:
准备OLED基板,所述OLED基板包括衬底基板以及形成在所述衬底基板上的至少一个OLED器件;
在所述OLED基板的形成所述OLED器件的一侧形成第一封装层以覆盖所述OLED器件;以及
在所述第一封装层上形成第二封装层,所述第二封装层为金属层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
所述第二封装层通过化学镀覆的方法形成。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,
所述化学镀覆包括化学镀银、化学镀铜、化学镀镍或化学镀金中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,
形成所述第二封装层包括依次形成多个金属子层。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,
所述第二封装层形成为包括两个金属子层的双层结构,靠近所述第一封装层的金属子层为镍层,远离所述第一封装层的金属子层为银层;或者所述第二封装层形成为包括三个金属子层的三层结构,其中一个镍层夹在两个银层之间。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中,
每个所述金属子层的厚度为0.15μm-1μm。
7.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中,
所述第二封装层覆盖于所述第一封装层的上表面和侧面。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中,
所述第一封装层为绝缘层。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,
所述第一封装层为无机层、有机层或无机-有机复合层。
10.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法,其中,
所述第二封装层的厚度为0.15μm-3μm。
11.一种有机发光二极管(OLED)封装结构,包括:
衬底基板;
形成在所述衬底基板上的OLED器件;以及
依次覆盖于所述OLED器件上的第一封装层和第二封装层,
其中所述第二封装层为金属层。
12.根据权利要求11所述的OLED封装结构,其中,
所述金属层的材料为银、铜、镍和金中的至少一种。
13.根据权利要求11或12所述的OLED封装结构,其中,
所述第二封装层为通过化学镀覆的方法形成的金属层。
14.根据权利要求11所述的OLED封装结构,其中,
所述第二封装层包括依次层叠的多个金属子层。
15.根据权利要求14所述的OLED封装结构,其中,
所述第二封装层为包括两个金属子层的双层结构,靠近所述第一封装层的金属子层为镍层,远离所述第一封装层的金属子层为银层;或者所述第二封装层为包括三个金属子层的三层结构,其中一个镍层夹在两个银层之间。
16.根据权利要求14或15所述的OLED封装结构,其中,
每个所述金属子层的厚度为0.15μm-1μm。
17.根据权利要求11或12所述的OLED封装结构,其中,
所述第二封装层覆盖于所述第一封装层的上表面和侧面。
18.根据权利要求11或12所述的OLED封装结构,其中,
所述第一封装层为绝缘层。
19.根据权利要求18所述的OLED封装结构,其中,
所述第一封装层为无机层、有机层或无机-有机复合层。
20.根据权利要求11或12所述的OLED封装结构,其中,
所述第二封装层的厚度为0.15μm-3μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





