[发明专利]用于运行用于操控场效应晶体管结构的驱动电路的方法

权利要求书

1.用于运行用于操控场效应晶体管结构（4）的驱动电路（2）的方法，其中驱动电路（2）在正常运行中提供具有第一特征参量的电操控信号（I_A）以用于切换场效应晶体管结构（4），其中第一特征参量确定场效应晶体管结构（4）在切换过程时的第一切换时间，该方法具有步骤：

根据电短路来监控场效应晶体管结构（4）的负载回路（28）；以及

根据电短路的确定，从正常运行变换到安全运行，在所述安全运行中，驱动电路（2）提供具有第二特征参量的电操控信号（I_A），其中第二特征参量确定场效应晶体管结构（4）在切换过程时的第二切换时间，所述第二切换时间短于第一切换时间，

其中第一特征参量是电操控信号（I_A）的第一电流强度，并且第二特征参量是电操控信号（I_A）的大于所述第一电流强度的第二电流强度，

其中通过操控驱动电路（2）的操控单元（12）来调整操控信号（I_A）的电流强度，其中操控单元（12）被构造为提供具有至少两个不同电流强度的操控信号（I_A），

其中操控所述操控单元（12）的电流源（16）以便提供具有所述至少两个不同电流强度的操控信号（I_A）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中操控开关装置（20）以便通过电阻单元（18）的第一电流路径（I）或第二电流路径（II）引导操控信号（I_A），用以提供具有所述至少两个不同电流强度的操控信号（I_A），其中第一电流路径（I）的电阻不等于第二电流路径（II）的电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将操控信号（I_A）的特征参量改变到10至1000倍。

4.根据权利要求3所述的方法，其中将操控信号（I_A）的特征参量改变到50至200倍。

5.根据权利要求1-4之一所述的方法，其中根据电短路监控场效应晶体管结构（4）的负载回路（28）包括：将场效应晶体管结构（4）的漏极源极电压（U_DS）与阈值相比较。

6.根据权利要求1-4之一所述的方法，其中驱动电路（2）以推挽运行被运行。

7.用于操控场效应晶体管结构（4）的驱动电路（2），其中驱动电路（2）被构造为在正常运行中提供具有第一特征参量的电操控信号（I_A）以用于操控场效应晶体管结构（4），其中第一特征参量确定场效应晶体管结构（4）在场效应晶体管结构（4）的切换过程时的第一切换时间，其中驱动电路（2）被构造为根据在场效应晶体管结构（4）的负载回路（28）中的电短路的确定从正常运行变换到安全运行，在所述安全运行中，驱动电路（2）提供具有第二特征参量的电操控信号（I_A），其中第二特征参量确定场效应晶体管结构（4）在切换过程时的第二切换时间，所述第二切换时间短于第一切换时间，

其中第一特征参量是电操控信号（I_A）的第一电流强度，并且第二特征参量是电操控信号（I_A）的大于所述第一电流强度的第二电流强度，

其中所述驱动电路（2）具有操控单元（12），所述操控单元（12）被构造为提供具有至少两个不同电流强度的操控信号（I_A），

其中所述操控单元（12）的电流源（16）被操控以便提供具有所述至少两个不同电流强度的操控信号（I_A）。

8.根据权利要求7所述的驱动电路（2），其中操控单元（12）具有电压源（16'），所述电压源（16'）具有电阻单元（18），所述电阻单元（18）具有拥有不同电阻的第一电流路径（I）和第二电流路径（II），以及其中利用开关装置（20），能够通过第一电流路径（I）或第二电流路径（II）引导操控信号（I_A），以便提供具有第一电流强度和第二电流强度的操控信号（I_A）。

9.根据权利要求7至8之一所述的驱动电路（2），所述驱动电路（2）具有用于确定场效应晶体管结构（4）的负载回路（28）中的电短路的电压检测单元（8）。