[发明专利]一种新型高效光伏组件的制备方法在审
| 申请号: | 201510280717.0 | 申请日: | 2015-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN104868016A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
| 发明(设计)人: | 苏旭平;郭志球;刘亚;王建华;涂浩 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/048 |
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| 地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 高效 组件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池组件生产方法技术领域,尤其是一种新型高效光伏组件的制备方法。
背景技术
随着太阳能电池效率的不断提升,电池片输出的电流也在逐步增加,目前常规的156mm*156mm多晶硅电池片输出的短路电流已经从过去的8安培提高到9.3安培,并且还在不断提高。如此大的电流,导致封装之后,光伏组件内部的电阻损耗越来越高。
为了减少光伏组件内部的电阻损耗,目前工业上有采用两种方法实现:增加焊带厚度和增加焊带数量。
目前,光伏组件用焊带厚度已经从前几年的0.18mm增加到现在的0.23mm~0.25mm,有的厂家甚至在尝试使用0.30mm厚度的焊带。增加焊带厚度确实能够降低部分电阻损失,但是也存在一定的缺点:1)增加了焊带的成本,2)焊带厚度增加会增加焊接的难度,增加产线的破片率,3)焊带增厚也会带来一定的可靠性问题,4)焊带不可能无限增厚下去,目前已经接近极限。
有的厂家采用增加焊带数量来减少电阻损耗,这样也存在一定的缺点:1)焊带数量的增加会增加焊带的遮光面积,从而减少组件的输出功率。2)增加焊带数量需要在太阳能电池上增加相同数量的主栅,这样做会增加贵重的银浆的消耗量,导致成本增加。
发明内容
本发明考虑到上述背景技术中提到的现有光伏组件的缺点,本发明提供一种新型高效光伏组件的制备方法,能够有效降低组件的电阻损耗,增加组件的输出功率。
本发明的技术方案中,新型高效光伏组件的制备方法的工艺步骤为:
(1)准备好常规的电池片,
常规的电池片为125mm*125mm、156mm*156mm规格的单晶硅太阳能电池片,或者是156mm*156mm的多晶硅太阳能电池片,也可以是未来200mm*200mm甚至更大规格的太阳能电池片;
(2)用激光,划刀或者其他方法在电池片背面划槽,槽痕的深度为50um~250um,并且槽痕的底部不允许穿过电池正面的PN结,
作为优选:槽痕垂直于电池片背面的主栅,在电池片背面划槽的操作大致如附图1所示;
(3)将电池片沿着槽痕分开,形成两片单独的电池片,
作为优选:控制步骤(2)中在电池片背面划槽,以及步骤(3)中将电池片沿着槽痕分开,使分开后的两片单独的电池片形状大小基本一致,
由于分割后的电池片长度只有原来常规电池片的一半,数量为原来电池片的两倍,则相应的焊带长度约为常规组件的一半,数量为常规组件的两倍,因此焊带厚度和焊带数量都基本未发生改变,
在该步骤中,电池正面的PN结也会断裂,
但是如果采用激光,划刀或者其他切割工具(在电池片背面划槽的过程中)直接将PN结割断的话,会影响到PN结的性能,而采用手工掰断时则不会产生影响,因此本发明中,沿着电池片背面的划槽痕,手工将电池片和PN结同时掰断;
(4)重新测量分割后的电池片,并进行分档,
分割后的电池片测量、分档的时候,必须要将隐裂电池片和并联电阻过低的电池片挑选出去,余下的电池片按照效率或者电流重新进行分档;
(5)利用常规的光伏组件封装工艺,将分割后的电池片封装制备出高效的光伏组件,
按照图2或者图3的组件设计图进行重新封装。
本发明的有益效果是:将常规的大电流电池片分割成小的电池片后封装成光伏组件,这样大大降低了光伏组件的电流以及内部的电学损耗,增加了光伏组件的发电功率。
附图说明
图1:本发明工艺中,在电池片背面划槽的操作示意图;
图2:本发明工艺中,将分割后的电池片重新封装制备光伏组件的示意图,按照图2的设计,组件上下两部分为独立的发电单元,在组件内部并联,组件的最终输出电流和常规的组件类似;
图3:本发明工艺中,将分割后的电池片重新封装制备光伏组件的示意图,按照图3的设计,组件内部所有电池片串联,组件的最终输出电流只有常规组件的一半,而输出电压为常规组件的两倍;组件的接线盒内部需要至少5个二极管,每个二极管和最多24片电池片一起形成一个回路。从而减少潜在的组件热斑效应。
具体实施方式
实施例1
操作步骤如下:
准备好常规的156mm*156mm多晶硅电池片;
用激光在电池片背面划槽,槽痕垂直于电池表面的主栅,槽痕将常规电池片分为相同的两个部分,槽痕深度为100um,槽痕的底部不允许穿过电池正面的PN结;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





