[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.集成电路装置(300)，其特征在于，包括：

凸缘(312)，所述凸缘(312)包括导电材料，并具有一表面；

设置在凸缘(312)表面的条形晶体管管芯(305a,305b)；

引线形式的输入导电元件(301)和输出导电元件(309)；

预匹配电容器条(303a,303b)，其设置在晶体管管芯(305a,305b)与输入导电元件(301)之间；

后匹配电容器条(307a,307b)，其设置在晶体管管芯(305a,305b)与输出导电元件(309)之间，

其中所述输入导电元件(301)经由所述预匹配电容器条(303a,303b)电连接至晶体管管芯(305a,305b)，并经由第一连接元件(302a,302b)电连接至所述预匹配电容器条(303a,303b)，所述输出导电元件(309)通过第四连接元件(308a,308b)直接连接至晶体管管芯(305a,305b)，其中所述晶体管管芯(305a,305b)通过第二连接元件(304a,304b)和第三连接元件(306a,306b)相应地连接至所述预匹配电容器条(303a,303b)和所述后匹配电容器条(307a,307b)；

其中：

集成电路装置包括两个或更多个平行节段，每个节段包括预匹配电容器条(303a,303b)、条形晶体管管芯(305a,305b)和后匹配电容器条(307a,307b)，其中所述晶体管管芯(305a,305b)首尾相连设置在所述凸缘的表面上；

凸缘包括沟槽(341a,341b；342a,342b；343a,343b；344a,344b)，其限定了一个或多个厚度减少的部分，其中所述沟槽(341a,341b；342a,342b；343a,343b；344a,344b)的纵轴平行于晶体管管芯(305a,305b)的纵轴，且其中所述一个或多个厚度减少的部分被配置为控制通过凸缘(312)流到晶体管管芯(305a,305b)的电流。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述厚度减小部分具有以下位置中的一个或多个：

在所述输入导电元件(301)和预匹配电容器条(303a,303b)之间的位置(341a,341b)；

在所述预匹配电容器条(303a,303b)与所述晶体管管芯(305a,305b)之间的位置((342a,342b)；

在所述晶体管管芯(305a,305b)与所述后匹配电容器条(307a,307b)之间的位置(343a,343b)；以及

在所述后匹配电容器条(307a,307b)与所述输出导电元件(309)之间的位置(344a,344b)。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，沟槽(344a,344b)位于后匹配电容器条(307a,307b)和输出导电元件(309)之间。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，沟槽(343a,343b)位于后匹配电容器条(307a,307b)和晶体管管芯(305a,305b)之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，沟槽(341a,341b；342a,342b；343a,343b；344a,344b)具有在100微米到500微米之间的深度。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，集成电路装置(300)包括超模压塑料封装。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，晶体管管芯(305a,305b)是集成的放大器管芯。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，集成电路装置(300)包括功率放大器。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，集成电路装置(300)包括多赫蒂放大器和推挽放大器中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一连接元件(302a,302b)、所述第二连接元件(304a,304b)、所述第三连接元件(306a,306b)和所述第四连接元件(308a,308b)是键合线。