[发明专利]一种COA基板、显示装置以及COA基板的制作方法有效
| 申请号: | 201510249892.3 | 申请日: | 2015-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN104808408B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 操彬彬;黄寅虎;文锺源 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 coa 基板 显示装置 以及 制作方法 | ||
1.一种COA基板,包括:交叉设置的栅线和数据线、薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
设置在包括所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形之上的钝化层图形;所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔;
设置在所述钝化层图形之上的第二导电层图形,所述第二导电层图形包括位于遮光区域内,且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形;所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域;所述导接图形与所述钝化层图形直接接触;
设置在所述第二导电层图形之上的彩膜层图形,所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔;
所述基板还包括:设置在所述钝化层图形之上、且所述第二导电层图形之下的黑矩阵;所述黑矩阵位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内。
2.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,还包括:设置在所述彩膜层图形之上的像素电极层图形;所述像素电极层图形包括多个像素电极,且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
3.根据权利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述第二导电层图形的材料为ITO。
4.一种显示装置,其特征在于,包含权利要求1-3任一项所述的COA基板。
5.一种COA基板的制作方法,包括:形成栅线、以及包括数据线、薄膜晶体管的源极和漏极的第一导电层图形的步骤,其特征在于,还包括:
在所述第一导电层图形上形成钝化层图形,所述钝化层图形具有对应漏极位置的第一过孔;
在所述钝化层图形上形成第二导电层图形;所述第二导电层图形包括位于遮光区域内,且通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接的导接图形;所述遮光区域为所述栅线、所述数据线以及所述薄膜晶体管所限定的区域;所述导接图形与所述钝化层图形直接接触;
在所述第二导电层图形上形成彩膜层图形,且所述彩膜层图形具有对应所述导接图形的第二过孔;
在所述第一导电层图形上形成钝化层图形之后,在所述钝化层图形上形成第二导电层图形之前,还包括:在位于除所述第一过孔所在位置的所述遮光区域内,形成黑矩阵。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在形成所述第二导电层图形之后,所述方法还包括:
在所述彩膜层图形之上形成像素电极层图形,所述像素电极层图形包括多个像素电极,且所述像素电极通过所述第二过孔与所述导接图形连接。
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