[发明专利]非易失性存储系统以及存储控制器的操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储系统，所述非易失性存储系统包括：

非易失性存储装置，包括多个存储单元；以及

存储控制器，被构造为对时钟进行计数以生成当前时间，在断电状态下在所述多个存储单元的预定存储单元中编程虚拟数据，当在断电状态之后出现上电状态时检测所述预定存储单元的电荷逸失，并基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间，

其中，所述存储控制器被构造为基于存储有关于电荷逸失与编程消逝时间之间的关系的信息的查找表来恢复当前时间。

2.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中，所述电荷逸失表示所述预定存储单元的阈值电压随着时间推移的变化。

3.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中，所述多个存储单元被编程为多个编程状态中的一个编程状态，

其中，编程所述虚拟数据，使得所述预定存储单元被编程为所述多个编程状态中的最高编程状态，并且

其中，所述最高编程状态是所述多个编程状态中的具有最高阈值电压分布的编程状态。

4.如权利要求3所述的非易失性存储系统，其中，所述非易失性存储装置被构造为执行多个程序循环，以在所述存储控制器的控制下在所述预定存储单元中编程所述虚拟数据，

其中，所述多个程序循环中的每个程序循环包括施加编程电压的编程步骤和施加用来验证所述最高编程状态的验证电压的验证步骤。

5.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中，所述预定存储单元是连接到同一条字线的存储单元。

6.如权利要求5所述的非易失性存储系统，其中，所述存储控制器被构造为选择所述同一条字线，并且连接到与所述同一条字线相邻的字线的存储单元具有擦除状态。

7.如权利要求1所述的非易失性存储系统，其中，所述存储控制器包括存储有关于编程消逝时间与电荷逸失之间的关系的信息的查找表。

8.如权利要求7所述的非易失性存储系统，其中，所述存储控制器被构造为基于所述查找表和检测到的电荷逸失来检测所述预定存储单元的编程消逝时间。

9.如权利要求8所述的非易失性存储系统，其中，所述存储控制器还包括存储有所述预定存储单元的编程时间信息的时间表。

10.如权利要求9所述的非易失性存储系统，其中，所述存储控制器被构造为基于时间表的预定存储单元的所述编程时间信息和检测到的编程消逝时间来恢复当前时间。

11.一种用于控制包括多个存储单元的非易失性存储装置的存储控制器的操作方法，所述方法包括如下步骤：

在断电状态下，在所述多个存储单元的预定存储单元中编程虚拟数据；

当在断电状态之后出现上电状态时，检测预定存储单元的电荷逸失；以及

基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间，

其中，基于检测到的电荷逸失来恢复当前时间的步骤包括：

基于存储有关于电荷逸失与编程消逝时间之间的关系的信息的查找表来恢复当前时间。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在断电状态下在所述多个存储单元的预定存储单元中编程虚拟数据的步骤包括：

将预定存储单元编程为多个编程状态中的最高编程状态，

其中，所述最高编程状态是所述多个编程状态中具有最高阈值电压分布的编程状态。

13.如权利要求11所述的方法，其中，在断电状态下在所述多个存储单元的预定存储单元中编程虚拟数据的步骤包括：

选择预定字线，所述预定字线是连接到预定存储单元的字线。

14.如权利要求13所述的方法，其中，选择所述预定字线的步骤包括：

选择字线作为所述预定字线使得连接到与被选择的字线相邻的字线的存储单元处于擦除状态。