[发明专利]基于聚合物熔体降解的纳米SiO2表面改性方法

权利要求书

1.基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，其步骤包括：

a聚合物/纳米SiO₂预混物的制备：将纳米SiO₂和聚合物于溶剂中通过溶液共混，使聚合物完全溶解，然后加入沉淀剂析出沉淀，最后对沉淀物进行过滤、干燥处理即得聚合物/纳米SiO₂预混物；其中，聚合物与纳米SiO₂的质量比为：100︰10～20；

b熔融共混聚合物/纳米SiO₂预混物：将步骤a制得的预混物在聚合物熔点以上分解温度以下熔融共混5～30min得聚合物/纳米SiO₂共混物；

c离心提取聚合物表面改性的纳米SiO₂：将步骤b得到的共混物溶解到溶剂中，通过高速离心得到功能化SiO₂纳米粒子；其中，高速离心条件为：离心速率8000～11000rpm，离心时间10～30min；

d功能化纳米SiO₂的纯化处理：将步骤c所得的功能化SiO₂纳米粒子分散到溶剂中，重复步骤c直至功能化纳米SiO₂表面不存在自由聚合物分子链为止。

2.根据权利要求1所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a、c和d中所述溶剂为能够与聚合物相容的溶剂。

3.根据权利要求1或2所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，所述聚合物选自聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乳酸或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1或2所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中所述沉淀剂为聚合物的非溶剂。

5.根据权利要求3所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中所述沉淀剂为聚合物的非溶剂。

6.根据权利要求4所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中所述沉淀剂为甲醇、乙醇或水。

7.根据权利要求5所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中所述沉淀剂为甲醇、乙醇或水。

8.根据权利要求1或2所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中溶液共混的方法为：纳米SiO₂先在溶剂中超声分散处理得纳米SiO₂分散液，再将聚合物与纳米SiO₂分散液搅拌共混。

9.根据权利要求3所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中溶液共混的方法为：纳米SiO₂先在溶剂中超声分散处理得纳米SiO₂分散液，再将聚合物与纳米SiO₂分散液搅拌共混。

10.根据权利要求4所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中溶液共混的方法为：纳米SiO₂先在溶剂中超声分散处理得纳米SiO₂分散液，再将聚合物与纳米SiO₂分散液搅拌共混。

11.根据权利要求5～7任一项所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤a中溶液共混的方法为：纳米SiO₂先在溶剂中超声分散处理得纳米SiO₂分散液，再将聚合物与纳米SiO₂分散液搅拌共混。

12.根据权利要求1或2所述的基于聚合物熔体降解的纳米SiO₂表面改性方法，其特征在于，步骤b采用双螺杆挤出机或密炼机进行熔融共混，共混时间10～20min。