[发明专利]赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法

权利要求书

1.一种有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，至少4个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的该至少4个温度传感器连接线的一部分，所述至少4个温度传感器连接线的电导率大于所述栅电极、所述多个温度控制线的电导率，且所述栅电极、所述多个温度控制线的热导率大于所述至少4个温度传感器连接线的热导率。

2.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，绝缘衬底材料为表面带绝缘层的半导体衬底、SOI衬底、AlN、蓝宝石、玻璃、塑料。

3.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，栅电极和/或温度传感器连接线和/或温度控制线的材料为金属、所述金属的合金、所述金属的导电氧化物、所述金属的导电氮化物、所述金属的导电硅化物。

4.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，栅绝缘层材料为PMMA。

5.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，栅电极和/或温度传感器连接线和/或温度控制线的宽度为1～2mm，厚度为100～500nm。

6.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，绝缘衬底厚度为1～10mm。

7.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，有源层长度为1～10mm，宽度为100μm～1mm，厚度为500～1000nm。

8.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，相邻温度传感器连接线之间间距为10～500μm。

9.如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，其中，相邻温度控制线之间间距为100nm～500μm。

10.一种有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构的制备方法，包括：

在绝缘衬底上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层；

在绝缘衬底上形成至少4个温度传感器连接线，分别连接至有源层的源漏区；

在绝缘衬底上形成多个温度控制线，分别连接至与源漏区相连的该至少4个温度传感器连接线的一部分，其中，所述至少4个温度传感器连接线的电导率大于所述栅电极、所述多个温度控制线的电导率，且所述栅电极、所述多个温度控制线的热导率大于所述至少4个温度传感器连接线的热导率。

11.如权利要求10的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构的制备方法，其中，栅电极和/或至少4个温度传感器连接线和/或多个温度控制线的制备方法为电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、磁控溅射方法。

12.如权利要求10的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构的制备方法，其中，栅绝缘层制备方法为电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积、磁控溅射、喷涂、丝网印刷、凝胶-溶胶。

13.如权利要求10的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构的制备方法，其中，有源层制备方法为机械剥离、化学气相沉积。

14.一种测量有机半导体材料赛贝克系数的方法，其中使用如权利要求1的有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，所述方法包括：

使用四端接触法测量所述测量结构的有机半导体材料的电阻值；

将测得电阻值转换成有机半导体材料的温度值T；

测量温度传感器连接线的热电压V，其中测量结构的温度控制线连接至可调电压源和/或电流源；

采用公式S＝ΔV/ΔT计算有机半导体材料的赛贝克系数,ΔV是热电压的变化值，ΔT是温度变化值。