[发明专利]一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用

说明书

技术领域

本发明属于PI覆盖膜制造领域，涉及一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用。

背景技术

PI覆盖膜以其优良的耐弯折性、重量轻、厚度薄等特点，越来越多地被广泛使用。PI覆盖膜主要由PI膜(聚酰亚胺薄膜)、胶层和贴合纸组成，其中，PI膜形成了覆盖膜的基础。近年来，随着电子产品的不断发展，产品的功能集成度更高，线路板材料更薄，更细和更多层，对低介电常数的绝缘材料要求也越高。目前，绝缘薄膜所使用的材料主要为聚酰亚胺和聚酯材料。由于聚酰亚胺起始分解温度一般都在500℃左右，因此相较于聚酯材料耐受温度要大很多，适用范围更广。在美国的所有柔性电路制造厂商中，接近80％的厂商是采用聚酰亚胺簿膜作为柔性电路的材料，大约20％的制造厂商结合采用聚酯簿膜。

众所周知，空气的介电常数为1.0，因此在聚酰亚胺薄膜中引入孔隙有利于降低材料的介电常数。Jiang等人首先通过溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺-氧化硅杂化薄膜，然后利用氢氟酸除去氧化硅，制得多孔的PI薄膜，其介电常数最低至1.8，但此用到腐蚀性极强的氢氟酸，工艺操作难度较大。Lee等人利用聚乙二醇功能化的倍半硅氧烷为成孔剂，制备了多孔的聚酰亚胺薄膜，孔径为10-40nm，介电常数最低为2.25。此方法能有效降低聚酰亚胺的介电常数，但新的单体、成孔剂的引入增加了生产成本和工艺控制的难度。因此，如何在高密度柔性线路板中应用一种工艺可控，成本较低的低介电常数聚酰亚胺薄膜对电子产品的发展具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用。

本发明的目的通过以下技术方案实现

1.本发明提供一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用。

所述PI覆盖膜由多孔低介电聚酰亚胺薄膜、胶层和贴合纸组成，压合方式为快速压合方式。

2.上述1提供的应用，其中，该薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～100wt％，增强填料质量分数0％～20wt％

3.上述1提供的应用，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～90wt％，增强填料质量分数10％～20wt％。

4.上述1提供的应用，其中，所述聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得。

5.上述1提供的应用，其中，所述芳香族二胺为4，4’-二氨基二苯醚、3，4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4，4’-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯甲酮、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜、1，3’-双(3-氨基苯氧基)苯、4，4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮、二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基-二苯氧基-4’，4-二苯基异丙烷中的一种或任意两种的混合物。

6.上述1提供的应用，其中，所述芳香族二酐为均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、二苯酮甲酸二酐、异构二苯硫醚二酐中的一种或两种混合物。

7.上述1提供的应用，其中，所述增强填料为二氧化硅，粒径≤2μm，优选粒径20～100nm；进一步的，粒径为20～40nm。

8.上述7提供的应用，其中，该薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔，孔隙率为2％-20％，由碳酸钙粒子与稀盐酸反应后，碳酸钙被除去留下的空穴形成。

9.上述8提供的应用，其中，碳酸钙粉末粒径≤2μm，制成后的薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔；优选碳酸钙粉末粒径为20-100nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-100nm的微孔。

10.上述9提供的应用，其中，碳酸钙粉末粒径为20-40nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20-40nm的微孔。

有益效果：

通过试验测得，本发明提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜最低介电常数可以达到2.6，而拉伸强度仍保持较高的拉伸强度为160MPa，说明本发明提供的薄膜具有优良的性状，适用于适用于大规模集成电路的电子材料。

以本发明提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜制作成的PI覆盖膜，经过检测，绝缘电阻为1.0×10¹¹，300℃、10秒未出现气泡和分层现象，剥离强度为1.3～1.6Kfg/cm，远超标准值，具有优良的性状。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明，下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照本领域的公知手段。

实施例1

(1)碳酸钙悬浊液制备