[发明专利]一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用

权利要求书

1.一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用；所述多孔低介电聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～90wt％，增强填料质量分数10～20wt％；所述聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得；薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔，孔隙率为2～20％。

2.权利要求1所述的应用，其特征在于：所述芳香族二胺为4,4’-二氨基二苯醚、3,4’-二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4,4’-二氨基二苯甲烷、二氨基二苯甲酮、4,4’-二(4-氨基苯氧基)二苯砜、1,3’-双(3-氨基苯氧基)苯、4,4’-二(4-氨基苯氧基)二苯甲酮、二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基-二苯氧基-4’,4-二苯基异丙烷中的一种或任意两种的混合物。

3.权利要求1所述的应用，其特征在于：所述芳香族二酐为均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、二苯酮甲酸二酐、异构二苯硫醚二酐中的一种或两种混合物。

4.权利要求1所述的应用，其特征在于：所述增强填料为二氧化硅，粒径≤2μm。

5.权利要求4所述的应用，其特征在于：所述增强填料粒径为20～100nm。

6.权利要求5所述的应用，其特征在于：所述增强填料粒径为20～40nm。

7.权利要求4所述的应用，其特征在于：该薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔，由碳酸钙粒子与稀盐酸反应后，碳酸钙被除去留下的空穴形成。

8.权利要求7所述的应用，其特征在于：碳酸钙粉末粒径≤2μm，制成后的薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔。

9.权利要求8所述的应用，其特征在于：碳酸钙粉末粒径为20～100nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20～100nm的微孔。

10.权利要求9所述的应用，其特征在于：碳酸钙粉末粒径为20～40nm，制成后的薄膜具有孔径尺寸为20～40nm的微孔。