[发明专利]石斛的间歇浸没式培养方法和培养装置

权利要求书

1.一种石斛的间歇浸没式培养方法，其特征在于：包括如下步骤：

一、用氯化汞溶液对石斛种子进行消毒，然后接种到种子萌发培养基中，光照下培养；

二、无菌苗生根后打开瓶盖，练苗2-3天；

三、练苗结束后洗浄根部残留的琼脂，然后转入间歇浸没式培养装置中；

四、在间歇浸没式培养装置下腔注入营养液，然后把石斛苗无菌扦插到装置上腔并用不锈钢网状苗床固定；采用间歇浸没式培养模式对石斛苗进行培养，让营养液在虹吸管和液泵的共同作用下在装置的上腔和下腔之间间歇循环转移；

步骤四所述间歇浸没式培养模式是，在室温下，将间歇浸没式培养装置置于室外阴凉处，避免阳光直射，不需要无菌环境，营养液间歇循环转移的周期控制在30-60分钟，每15-20天更换一次新鲜营养液。

2.根据权利要求1所述的培养方法，其特征在于，步骤一所述种子萌发培养基，为添加0.2-0.5mg/L赤霉素的MS固体培养基。

3.根据权利要求1所述的培养方法，其特征在于，所述营养液的配方为大量元素减半的1/2MS无糖培养基，石斛生长所需糖份来自光合作用。

4.用于权利要求1所述石斛的间歇浸没式培养方法的培养装置，其特征在于：包括培养箱，该培养箱由一块隔板分隔成上腔和下腔，在上腔和下腔之间分别连接有连通管、虹吸管和液泵，在上腔还设有用于固定石斛苗的不锈钢网状苗床。

5.根据权利要求4所述的培养装置，其特征在于，所述虹吸管的虹吸口接近上腔的腔底。