[发明专利]溅射靶及其制备方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，由Cu_y(In_1-xGa_x)Se₂粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cu_y(In_1-xGa_x)Se_2+z或Cu_y(In_1-xGa_x)Se_2+z与单质Se的组合，该溅射靶中元素之间的摩尔比为1.222≤Se:(Cu+In+Ga)≤1.5，该溅镀靶的制备方法包括：将Cu(In_1-xGa_x)Se₂粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质，该Cu(In_1-xGa_x)Se₂粉末与单质Se粉末的摩尔比为1.0:(0.6～1.0)；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400℃～900℃进行烧结，得到所述溅射靶，该溅射靶为Cu_y(In_1-xGa_x)Se₂中原位掺杂Se元素。

2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，0<x≤0.8，0.5<y<1.2。

3.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，0<z<0.5。

4.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，该溅射靶中Se的原子百分比为57％～60％。

5.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，单质Se在该溅射靶中的摩尔百分比为15％～20％。

6.一种溅射靶的制备方法，包括：

将Cu(In_1-xGa_x)Se₂粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及

采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400℃～900℃进行烧结，得到所述溅射靶，该溅射靶为Cu_y(In_1-xGa_x)Se₂中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.222≤Se:(Cu+In+Ga)≤1.5。

7.如权利要求6所述的溅射靶的制备方法，其特征在于，当采用热压烧结工艺时，该热压烧结的烧结温度为400℃～900℃，烧结压力为30MPa～100MPa，烧结时间为1小时～40小时；当采用热等静压烧结工艺时，该热等静压烧结的烧结温度为400℃～900℃，烧结压力为100MPa～300MPa，烧结时间为1小时～40小时；当采用常压烧结工艺时，该常压烧结的烧结时间为1小时～40小时。

8.如权利要求6所述的溅射靶的制备方法，其特征在于，该Cu(In_1-xGa_x)Se₂粉末与单质Se粉末的摩尔比为1.0:(0.6～1.0)。

9.如权利要求6所述的溅射靶的制备方法，其特征在于，该烧结过程在保护气体中进行，该保护气体为Ar气或N₂气。

10.如权利要求6所述的溅射靶的制备方法，其特征在于，进一步包括将该球磨后得到的混合体在烧结前先进行加压成型，该压力为30MPa～300MPa。