[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成第一栅极金属图形；

在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；

在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成第一保护层图形和过孔图形；

在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形；

所述在形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成第二保护层图形、第二有源层图形和像素电极图形，包括：

在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；

在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过PECVD工艺沉积保护层薄膜；

在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上涂覆一层光刻胶；

采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形和所述像素电极图形；

或者，在形成有所述过孔图形的衬底基板上通过磁控溅射工艺沉积第三氧化物透明半导体薄膜；

在沉积有所述第三氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上通过PECVD工艺沉积保护层薄膜；同时，

在沉积有所述保护层薄膜的衬底基板上沉积第三金属层；

在沉积有所述第三金属层的衬底基板上涂覆一层光刻胶；

采用灰色或半色调掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光、显影形成所述第二保护层图形、所述第二有源层图形、第二栅极金属图形和所述像素电极图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一栅极金属图形，包括：

在所述衬底基板上沉积第一氧化物透明半导体薄膜；

在沉积有所述第一氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上沉积第一金属层；

对沉积有所述第一金属层的衬底基板进行一次构图工艺，形成公共电极图形和公共线；

在形成有所述公共电极图形的衬底基板上进行刻蚀形成栅线、所述第一栅极金属图形和数据线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一氧化物透明半导体薄膜由氧化铟锡ITO或铟锌氧化物IZO制成；

所述第一金属层由钼、铝、铜、钛或钨制成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形，包括：

在形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上通过等离子体增强化学气相沉积法PECVD工艺形成所述栅极绝缘层；

在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上沉积第二氧化物透明半导体薄膜；

在沉积有所述第二氧化物透明半导体薄膜的衬底基板上沉积第二金属层；

对沉积有所述第二金属层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一有源层图形和所述源漏极金属图形。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第二氧化物透明半导体薄膜由氧化锌ZnO、铟锌氧化物IZO、铟镓锌氧化物IGZO或铟锡锌氧化物ITZO制成；

所述第二金属层由钼、铝、铜、钛或钨制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第三氧化物透明半导体薄膜由氧化锌ZnO、铟锌氧化物IZO、铟镓锌氧化物IGZO或铟锡锌氧化物ITZO制成。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至6任一所述的阵列基板的制造方法制造而成，所述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上形成有第一栅极金属图形；

形成有所述第一栅极金属图形的衬底基板上形成有栅极绝缘层、第一有源层图形和源漏极金属图形；

形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有第一保护层图形；

形成有所述第一保护层图形的衬底基板上形成有第二有源层图形和像素电极图形。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

形成有所述第二有源层图形的衬底基板上形成有第二保护层图形。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

形成有所述第二保护层图形的衬底基板上形成有第二栅极金属图形。