[发明专利]功率用半导体器件

权利要求书

1.一种功率用半导体器件，具有：

包含纵式MOSFET的元件部；以及

与所述元件部邻接的二极管部，

该纵式MOSFET包括：

第一导电型的第一半导体层；

第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层的表面上形成；

第一导电型的第三半导体层，在所述第二半导体层的表面上选择性地形成；

多个绝缘膜，从所述第三半导体层的表面起直到所述第一半导体层，邻接的所述绝缘膜以第一间隔设置；

第一导电层，隔着所述绝缘膜位于所述第一半导体层内；

第二导电层，隔着所述绝缘膜与所述第二半导体层相邻；

层间绝缘膜，在所述第二导电层上形成；

第一主电极，电连接到所述第一半导体层；以及

第二主电极，在所述第三半导体层以及所述层间绝缘膜上形成并且电连接到所述第三半导体层，

该二极管部包括；

所述第一半导体层、在所述第一半导体层的表面上形成的第二导电型的第四半导体层、多个所述绝缘膜、所述第一导电层、所述层间绝缘膜、以及所述第一主电极及所述第二主电极，邻接的所述绝缘膜以比所述第一间隔大的第二间隔设置，

所述元件部中的所述第一半导体层的杂质浓度以及所述二极管部中的所述第一半导体层的杂质浓度是相同的杂质浓度，所述元件部中的所述第二半导体层的杂质浓度以及所述二极管部中的所述第二半导体层的杂质浓度是相同的杂质浓度。

2.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

在所述第一导电层及所述第二导电层之间形成有绝缘膜。

3.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述第一导电层及所述第二导电层是同电位。

4.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述第一导电层和所述第二主电极连接。

5.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述第二导电层是栅电极。

6.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

与所述第一导电层的侧面相连的所述绝缘膜的第一膜厚比与所述第二导电层的侧面相连的所述绝缘膜的第二膜厚厚。

7.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述第一导电层的宽度比所述第二导电层的宽度窄。

8.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述第二导电层和所述第一导电层连接，共同作为栅电极发挥功能。

9.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

在所述元件部，所述第三半导体层及所述第四半导体层在所述绝缘膜的长度方向上交替配置。

10.如权利要求1记载的功率用半导体器件，其中，

所述二极管部的耐压设定得比所述元件部的耐压低。