[发明专利]一种原位大面积合成氧化亚锡半导体光电薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201510173360.6 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN104934490B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 雷岩;谷龙艳;贾会敏;杨晓刚;杨健康;郑露露;郑直;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;C23C14/35;C23C14/58 |
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| 地址： | 461000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 合成 氧化 半导体 光电 薄膜 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法，其特点在于：在基底材料上直流溅射单质Sn薄膜，在空气中加热100℃～400℃，经过15min～2h的反应，就在基底材料表面原位生长出SnO半导体光电薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法；其特点在于：所使用的溅射方法为直流磁控溅射。
3.根据权利要求1所述的大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法；其特点在于：所使用的基底材料为FTO导电玻璃，普通玻璃，不锈钢等。
4.根据权利要求1所述的大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法；其特点在于：所使用的氧化剂为空气。
5.根据权利要求1所述的大面积合成氧化亚锡光电薄膜材料的方法；其特点在于：Sn薄膜是50nm～400nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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