[发明专利]一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结

权利要求书

1.一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结，其特征在于，所述本体异质结是由光致变色材料与电荷传输型半导体材料共蒸而成，光致变色材料与半导体材料的共蒸比例为：0.17-0.5；

所述光致变色材料为或

所述的电荷传输型半导体材料为酞菁酮。

2.一种应用如权利要求1所述的本体异质结的有机场效应晶体管，包括电极、半导体层、修饰层、绝缘层、衬底，其特征在于，所述半导体层为所述本体异质结，所述有机场效应晶体管可实现光调控和电调控两种控制模式，以及紫外光、可见光和电场调控下的多阶存储。

3.一种如权利要求1所述的本体异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在真空环境下，所述光致变色材料的蒸发速率调节至1Hz/2s-1Hz/6s，所述电荷传输型半导体材料的蒸发速率调节至1Hz/s-4Hz/s；

(2)所述光致变色材料蒸发速率比所述电荷传输型半导体材料蒸发速率控制在0.17-0.5，同时将两种材料蒸镀到基片上，共蒸镀800Hz-1200Hz。

4.一种如权利要求2所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)基片的清洗过程：丙酮擦拭基片；依次使用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗基片；使用氮气吹去基片表面的液体，之后烘干；在紫外灯下照射，除氧；

(2)旋涂修饰过程：配制2-10mg/ml的PMMA的乙酸乙酯溶液，PMMA的乙酸乙酯溶液旋涂于基片，烘干；

(3)蒸镀过程：在真空环境下，所述光致变色材料的蒸发速率调节至1Hz/2s-1Hz/6s，所述电荷传输型半导体材料的蒸发速率调节至1Hz/s-4Hz/s；所述光致变色材料蒸发速率比所述电荷传输型半导体材料蒸发速率控制在0.17-0.5，同时将两种材料蒸镀到基片上，达到共蒸镀800Hz-1200Hz。