[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片的制造方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构包括蓝宝石衬底，依次形成于所述蓝宝石衬底正面上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；

在所述前端结构表面上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；

在所述欧姆接触层上形成反射层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；

刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成第一电极接触孔；

在所述第一电极接触孔中形成第一电极，并形成与反射层相连接的第二电极；

对所述蓝宝石衬底背面进行减薄，并在所述蓝宝石衬底背面形成粗糙氧化铝层。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述粗糙氧化铝层的厚度为表面粗糙度为Ra<0.4μm。

3.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述粗糙氧化铝层通过电子束、溅射或离子辅助沉积方式中的一种或多种，一层或分层形成。

4.如权利要求3所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述粗糙氧化铝层通过整个背面生长形成，或者分区域生长形成。

5.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，在刻蚀形成第一电极接触孔之后，在形成第一电极和第二电极之前，还包括：

形成隔离层，所述隔离层覆盖所述反射层及第一电极接触孔的侧壁，所述隔离层还暴露出部分反射层。

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，通过CMP工艺减薄所述蓝宝石衬底。

7.一种由权利要求1-6中任意一项所述的倒装LED芯片的制造方法制得的倒装LED芯片，其特征在于，包括：

蓝宝石衬底，依次形成于所述蓝宝石衬底正面上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；

形成于所述P型氮化镓层上的欧姆接触层；

形成于所述欧姆接触层上的反射层；

贯穿所述反射层、欧姆接触层、P型氮化镓层及量子阱层的第一电极接触孔，第一电极形成于所述第一电极接触孔中并与N型氮化镓层相连接；第二电极与所述反射层相连接；

形成于所述蓝宝石衬底背面的粗糙氧化铝层。

8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层覆盖所述反射层及第一电极接触孔的侧壁，所述第二电极贯穿所述隔离层。