[发明专利]一种晶圆边缘缺陷的检测方法有效
| 申请号: | 201510144223.X | 申请日: | 2015-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN104766810B | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
| 发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 边缘 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,包括:
步骤S01:提供一缺陷检测设备,在创建晶圆边缘缺陷检测程序时,先确定在晶圆边缘的检测起始和结束位置,然后,通过检测光源对晶圆边缘整个需要检测的区域进行一次初始扫描,以对该检测区域进行信号采集;
步骤S02:将得到的整个检测区域的扫描面积模拟展开到一个长方形平面内,其长度为晶圆的圆周,宽度为检测起始位置与结束位置之间的晶圆边缘弧度;
步骤S03:定义以检测光源的宽度为扫描间隔基准,对长方形平面进行宽度方向的等面积划分;
步骤S04:根据缺陷检测的不同要求,选择不同的扫描间隔数,对检测区域内对应扫描间隔数的需扫描面积进行晶圆边缘缺陷的扫描检测;
其中,根据缺陷检测精度和检测速度的不同要求,选择不同的扫描间隔数,所述对应扫描间隔数的需扫描面积在整个所述检测区域中的扫描面积占比S与所述检测速度的倍率或扫描间隔数n之间的关系满足公式:
S=1/(n+1)
其中,n为正整数。
2.根据权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,对检测区域进行扫描时,使晶圆围绕其中心进行旋转,同时,使检测光源沿着晶圆的边缘自检测起始位置至结束位置进行弧线移动,对检测区域进行信号采集。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,所述检测光源垂直于晶圆的边缘自检测起始位置至结束位置进行弧线移动扫描。
4.根据权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,步骤S04中,根据缺陷检测精度和检测速度的不同要求,选择不同的扫描间隔数,所述检测精度与检测速度或扫描间隔数之间具有反比对应关系。
5.根据权利要求4所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,所述检测精度与检测速度或扫描间隔数之间具有检测精度高时检测速度慢、扫描间隔数少的反比对应关系。
6.根据权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,根据缺陷检测速度的不同要求,选择不同的扫描间隔数,所述检测速度的倍率与扫描间隔数之间具有数值一一对应关系。
7.根据权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,所述检测速度的倍率或扫描间隔数n为1~9之间的正整数。
8.根据权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法,其特征在于,将被所述扫描间隔数跳过的数据采集区域的光信号,采用前一个采集区域的信号数据进行填补,以得到一个模拟的完整缺陷信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





