[发明专利]六个晶体管的静态随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种六个晶体管的静态随机存取存储器单元，包含一个写入反相器、一个读取反相器、一个写入传送闸晶体管及一个读取传送闸晶体管；

该写入反相器包括串接于一个供应电压源及一个互补供应电压源间的一个写入升压晶体管及一个写入降压晶体管；

该读取反相器包括串接于该供应电压源以及该互补供应电压源间的一个读取升压晶体管及一个读取降压晶体管，该读取反相器的输出端电连接该写入反相器的输入端，该读取反相器的输入端电连接该写入反相器的输出端；

该写入传送闸晶体管电连接于该写入反相器的输出端与一个写入讯号线间；

该读取传送闸晶体管电连接于该读取反相器的输出端与一个读取讯号线间；

其特征在于：

于一个写入期间，该写入讯号线上的一个写入数据经由该写入传送闸晶体管单边写入，于一个读取期间，一个储存于该静态随机存取存储器单元的读取数据经由该读取传送闸晶体管单边读取至该读取讯号线；

其中，该读取升压晶体管的等效电阻小于该读取传送闸晶体管的等效电阻，且该读取降压晶体管的等效电阻小于该读取传送闸晶体管的等效电阻。

2.根据权利要求1所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该读取升压晶体管的面积大于该读取传送闸晶体管的面积，且该读取降压晶体管的面积大于该读取传送闸晶体管的面积。

3.根据权利要求1所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该读取升压晶体管的通道宽长比大于该读取传送闸晶体管的通道宽长比，且该读取降压晶体管的通道宽长比大于该读取传送闸晶体管的通道宽长比。

4.根据权利要求1所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该读取升压晶体管的通道宽度大于该读取传送闸晶体管的通道宽度，且该读取降压晶体管的通道宽度大于该读取传送闸晶体管的通道宽度。

5.根据权利要求1所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该读取升压晶体管的阈值电压小于该读取传送闸晶体管的阈值电压，且该读取降压晶体管的阈值电压小于该读取传送闸晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求1所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该写入升压晶体管的等效电阻大于该写入传送闸晶体管的等效电阻，且该写入降压晶体管的等效电阻大于该写入传送闸晶体管的等效电阻。

7.根据权利要求6所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该写入升压晶体管的面积小于该写入传送闸晶体管的面积，且该写入降压晶体管的面积小于该写入传送闸晶体管的面积。

8.根据权利要求6所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该写入升压晶体管的通道宽长比小于该写入传送闸晶体管的通道宽长比，且该写入降压晶体管的通道宽长比小于该写入传送闸晶体管的通道宽长比。

9.根据权利要求6所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该写入升压晶体管的通道宽度小于该写入传送闸晶体管的通道宽度，且该写入降压晶体管的通道宽度小于该写入传送闸晶体管的通道宽度。

10.根据权利要求6所述的六个晶体管的静态随机存取存储器单元，其特征在于：该写入升压晶体管的阈值电压大于该写入传送闸晶体管的阈值电压，且该写入降压晶体管的阈值电压大于该写入传送闸晶体管的阈值电压。