[发明专利]发光二极管及发光装置

说明书

本发明公开一种发光二极管及发光装置。所述发光二极管包括：基座；发光结构，其位于所述基座上面；及，一个以上第1电极，其位于所述发光结构上面；其中，所述基座包括：支柱绝缘子；及，一个以上块体电极，其被埋置于所述支柱绝缘子并与所述发光结构电连接；其中，所述块体电极的下面露出在所述支柱绝缘子的下面。根据本发明，能够提供可靠、高效的发光二极管。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及发光装置(LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OFFABRICATING THE SAME)，具体而言，涉及一种在晶圆级分离生长基板制造而成的发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管是一种无机半导体元件，能够发出电子和空穴复合产生的光，近年来，广泛应用于显示器、汽车照明以及一般照明等诸多领域。

发光二极管按电极配置位置或所述电极与外部引线连接的方式不同，分为水平式发光二极管、直立式发光二极管或覆晶式(flip-chip)发光二极管等等。

水平式发光二极管制造方法较为简单，所以使用范围最广。水平式发光二极管的生长基板在其下部直接形成。作为所述发光二极管的生长基板，最广泛使用的是蓝宝石基板，但是，蓝宝石基板的热传导率低，发光二极管难以散热。因此，导致发光二极管的粘接温度高，内部量子效率低下，不适合用于高电流驱动。

为了解决所述水平式发光二极管存在的问题，正在开发直立式发光二极管或覆晶式发光二极管。尤其，在直立式发光二极管的情况下，其下部半导体层和上部半导体层分别由不同的导电型形成，需要分别连接到上下部半导体层的电极。因此，制造直立式发光二极管时，必须进行从半导体层分离生长基板的工序。

通常，在将生长基板分离为半导体层之前，在生长基板的相反一侧，将金属基板粘接在半导体层上，防止分离生长基板的过程中破坏半导体层。然后，采用激光剥离、化学剥离或应力剥离等方法，从半导体层分离生长基板。金属基板和半导体层之间另外夹设粘接层进行粘接。此时，粘接层经过从规定粘接温度以上温度冷却至常温的过程，使金属基板和半导体层粘接。

但是，金属基板和半导体层(例如，氮化镓半导体层)因其相互间热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion)不同，从所述粘接温度冷却至常温时，发生半导体层弯曲的弯曲(bowing)现象。在大面积分离生长基板时，这种弯曲现象尤为严重。大面积分离生长基板时，弯曲现象导致半导体层破坏的可能性极大，很难在晶圆级分离生长基板。而为了防止弯曲导致的半导体层破损，将晶圆分割成单个元件以后，针对单个发光二极管分离生长基板。因此，以往的直立式发光二极管制造方法，其工艺复杂，工艺成本高。

另外，在制造从生长基板分离的半导体层表面形成荧光粉层覆盖的直立式发光二极管时，如果在晶圆级形成荧光粉层以后，将金属基板分割成单个元件时，金属基板的分割过程中，荧光粉层有可能受到损伤。其理由是，金属基板很难使用刀片等进行物理分割，所以使用激光划片机将金属基板分割成单个元件，而此时，荧光粉层可能因为激光受到劣化等损伤。由于按照以往的制造方法，很难在晶圆级形成荧光粉层，所以将晶圆分割成单个元件以后形成荧光粉层。

因此，需要一种直立式发光二极管制造方法，以减少分离生长基板过程中发生的弯曲现象，实现在晶圆级形成荧光粉层。

发明内容

[要解决的技术问题]

本发明所要解决的技术问题是，提供一种发光二极管制造方法，以减少或防止从半导体层分离生长基板以后发生的弯曲(bowing)现象，实现大面积分离生长基板。

本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种发光二极管制造方法，以在晶圆级形成波长转换层以后分离生长基板。

本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种在晶圆级制造的发光二极管。