[发明专利]有源矩阵有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 201510135241.1 | 申请日: | 2006-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN104778918B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
| 发明(设计)人: | K.R.萨马;J.施米德特;J.A.劳什 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蒋骏 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
耦合到电源的多行有机发光二极管;
多个脉冲宽度调制信号发生器;
至少一个电路,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管耦合到所述显示器的行地址总线和所述显示器的列地址总线;
第二晶体管,所述第二晶体管耦合到所述第一晶体管并且直接耦合到所述多行有机发光二极管中的一个有机发光二极管;
存储电容器,所述存储电容器耦合到所述第一晶体管的源级和所述第二晶体管的漏极;
第三晶体管,所述第三晶体管耦合到所述多行有机发光二极管中的所述一个有机发光二极管并且耦合到所述脉冲宽度调制信号发生器中的一个,使得所述第三晶体管被配置为对通过所述多行有机发光二极管中的所选择的一个有机发光二极管的电流进行脉冲宽度调制并且控制其光发射;以及
第四晶体管,所述第四晶体管直接耦合到所述第三晶体管、所述第二晶体管、所述有机发光二极管中的所述一个和所述脉冲宽度调制信号发生器中的一个,其中所述第四晶体管的栅极直接耦合到所述第三晶体管的栅极,所述第四晶体管还能操作成与所述第三晶体管协作地控制所述有机发光二极管的光发射。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到所述显示器中的公共阴极结构。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到所述电源。
4.一种有机发光二极管显示器,包括:
多行有机发光二极管像素;
多个脉冲宽度调制信号发生器;
至少一个有机发光二极管电路,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管耦合到所述显示器的行地址总线和所述显示器的列地址总线;
第二晶体管,所述第二晶体管耦合到所述第一晶体管;
第三晶体管,所述第三晶体管耦合到所述第二晶体管并且耦合到所述多行有机发光二极管像素中的一个有机发光二极管,所述第三晶体管被配置为改变施加到所述第二晶体管的栅极的电压;
第四晶体管,所述第四晶体管直接耦合到所述第三晶体管、所述第二晶体管、所述多行有机发光二极管像素中的所述一个有机发光二极管和所述脉冲宽度调制信号发生器中的一个,其中所述第四晶体管的栅极直接耦合到所述第三晶体管的栅极,所述第四晶体管还能操作成与所述第三晶体管协作地控制所述一个有机发光二极管的光发射;
存储电容器,所述存储电容器耦合到所述第一晶体管的源级和所述第二晶体管的漏极;以及
其中所述脉冲宽度调制信号发生器中的一个在有机发光二极管像素的行中的所述像素的每一个处耦合到所述第三晶体管以对通过所述行中的有机发光二极管像素的每一个的电流进行脉冲宽度调制,并且控制其光发射。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到所述显示器中的公共阴极结构。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到电源。
7.一种有机发光二极管显示器,包括:
多行有机发光二极管;
多个脉冲宽度调制信号发生器;
至少一个有机发光二极管电路,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管耦合到所述显示器的行地址总线和所述显示器的列地址总线;
第二晶体管,所述第二晶体管直接耦合到所述多行有机发光二极管中的一个有机发光二极管;
第三晶体管,所述第三晶体管耦合到所述多行有机发光二极管中的所述一个有机发光二极管;
第四晶体管,所述第四晶体管经由所述第三晶体管耦合到所述第一晶体管,其中所述第三晶体管的栅极直接连接到所述第四晶体管的栅极;
存储电容器,所述存储电容器耦合到所述第一晶体管的源极并且直接耦合到所述第三晶体管的漏极;以及
其中所述脉冲宽度调制信号发生器中的一个在有机发光二极管像素的行中的像素的每一个处直接耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管以对通过所述行中的像素的每一个处的有机发光二极管中的每一个的电流进行脉冲宽度调制,并且控制其光发射。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到所述显示器中的公共阴极结构。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三晶体管还耦合到所述脉冲宽度调制信号发生器中的所述一个。
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