[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法有效
| 申请号: | 201510112340.8 | 申请日: | 2015-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN104659070B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
| 发明(设计)人: | 熊志勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;崔雪青 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
像素定义层,设置在所述基板上,其中,所述像素定义层限定出多个像素区域;
有机公共层,设置在所述像素区域上和所述像素定义层上;
至少一个凹槽,设置在部分像素区域间的像素定义层或全部像素区域间的像素定义层中;
所述有机公共层包括空穴传输层和电子传输层,覆盖所述凹槽的侧壁的空穴传输层的厚度小于覆盖所述凹槽的槽底的空穴传输层的厚度,且覆盖所述凹槽的侧壁的电子传输层的厚度小于覆盖所述凹槽的槽底的电子传输层的厚度;
所述有机公共层覆盖部分所述凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽形成之前所述像素定义层的质量大于所述凹槽形成之后所述像素定义层的质量。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度大于或等于0.5μm。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度大于或等于2μm。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度为大于2μm且小于6μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置在所述基板和所述像素定义层之间的平坦化层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的槽底设置在所述像素定义层中或者设置在所述像素定义层和所述平坦化层的接触处。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽穿过所述像素定义层并延伸到所述平坦化层中,且所述凹槽的槽底设置在所述平坦化层中。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述部分像素区域间的像素定义层包括相同颜色像素区域间的像素定义层和/或不同颜色像素区域间的像素定义层。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素区域的排列方式为矩阵排列,所述凹槽设置在不同颜色像素区域间的像素定义层中或全部像素区域间的像素定义层中;或者
所述像素区域的排列方式为交错排列,所述凹槽设置在全部像素区域间的像素定义层中。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10中任一项所述的显示面板。
12.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成像素定义层,其中,所述像素定义层限定出多个像素区域;
在部分像素区域间的像素定义层或全部像素区域间的像素定义层中形成至少一个凹槽;
形成有机公共层,其中,所述有机公共层形成在所述像素区域上和所述像素定义层上;
所述有机公共层包括空穴传输层和电子传输层,覆盖所述凹槽的侧壁的空穴传输层的厚度小于覆盖所述凹槽的槽底的空穴传输层的厚度,且覆盖所述凹槽的侧壁的电子传输层的厚度小于覆盖所述凹槽的槽底的电子传输层的厚度;
所述有机公共层覆盖部分所述凹槽。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述凹槽采用刻蚀或激光照射的方法形成。
14.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述凹槽的深度大于0.5μm。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述凹槽的深度大于2μm。
16.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括:在所述基板和所述像素定义层之间形成平坦化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





