[发明专利]集成电路IC虚拟制造系统及其实现方法

权利要求书

1.集成电路IC虚拟制造系统，其特征在于：该系统包含：

IC设计模块：读入EDA设计文件，从中提取集成电路IC设计的信息，进行IC电路图形和布线仿真；

IC经典工艺流程模块：交互式操作演示双极型IC工艺、MOS器件工艺、Bi-CMOS器件工艺；

IC晶圆制程模块：系统先设计IC晶圆制造生产线的工艺流程；再进行晶圆制造设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，进行晶圆制造设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

IC芯片电路制程模块：系统先设计IC芯片电路制造生产线的工艺流程；再进行IC芯片电路制造设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；再在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，进行IC芯片电路设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

IC封装制程模块：系统先设计IC封装生产线的工艺流程；再进行IC封装设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；再在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，进行IC封装设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

考评系统模块：可管理学员名册；设定考试的平均分，系统自动出课程考试题；系统自动批卷和成绩统分；

数据库模块：包括IC设计数据库、IC晶圆制程数据库、IC芯片电路制程数据库、IC封装制程；EDA输入模块输出端连接IC芯片电路制程模块与IC封装制程模块，IC芯片电路制程模块与IC封装制程模块连接数据库模块与考评系统模块。

2.根据权利要求1所述的集成电路IC虚拟制造系统，其特征在于：所述晶圆制造生产线的设备包括单晶炉、划片机、研磨机、倒角机、抛光机、清洗机。

3.根据权利要求1所述的集成电路IC虚拟制造系统，其特征在于：所述IC芯片电路制造生产线的设备包括氧化扩散系统、薄膜淀积系统、光刻系统、金属化系统、平坦化系统、清洗机；所述氧化扩散系统包括热氧化炉、扩散炉、离子注入机；所述薄膜淀积系统包括等离子化学沉积机、外延炉、电子束蒸发、磁控溅射台；所述光刻系统包括光学曝光机、电子束曝光机、极紫外光刻机、离子刻蚀机、涂/去胶机、前/后烘炉、制掩膜板。

4.根据权利要求1所述的集成电路IC虚拟制造系统，其特征在于：所述IC封装生产线的设备包括贴膜机、激光切割机、机械切割机、芯片安装系统、芯片焊接系统、封胶机、引线电镀线、切筋成形机、测试分选机；所述芯片安装系统包括粘晶机、点胶器；所述芯片焊接系统包括金丝球焊机、超声楔焊机、载带键合机、倒装焊接机、粘贴焊接机。

5.利用如权利要求1所述系统实现集成电路IC虚拟制造系统的方法，该方法包括以下步骤：

（1）IC设计模块读入EDA设计文件，从中提取集成电路IC设计的信息，进行IC电路图形和布线仿真；

（2）IC经典工艺流程模块交互式操作演示双极型IC工艺、MOS器件工艺、Bi-CMOS器件工艺，为后续IC芯片电路生产线和IC封装生产线的工艺设计提供参考标准；

（3）IC晶圆制程模块先设计IC晶圆制造生产线的工艺流程；再进行晶圆制造设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；再在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，采用图形变换技术和双缓存技术，进行晶圆制造设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

（4）IC芯片电路制程模块根据集成电路IC电路的EDA设计的文件，先设计IC芯片电路制造生产线的工艺流程；再进行IC芯片电路制造设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；再在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，采用图形变换技术和双缓存技术，进行IC芯片电路制造设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

（5）IC封装制程模块根据集成电路IC电路的EDA设计的文件，先设计IC封装生产线的工艺流程；再进行IC封装设备的参数设置和模拟编程，并将数据输入到数据库中；再在VC++6.0环境下采用面向对象技术和Unity技术，采用图形变换技术和双缓存技术，进行IC封装设备的机构工作过程3D仿真和交互式操作；

（6）考评系统模块先进行学员名册管理，再根据所设定的考试的平均分，系统自动出课程考试题，系统自动批卷和成绩统分。

6.根据权利要求5所述的实现集成电路IC虚拟制造系统的方法，其特征在于：所述的设计IC芯片电路制造生产线和IC封装生产线的工艺流程是根据集成电路IC电路的EDA设计的文件，设计IC芯片电路生产线和IC封装生产线的工艺流程；并且3D动画显示IC芯片电路生产线和IC封装生产线的工艺流程。