[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板构成，在阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。此外，在彩膜基板的上表面设置有第一偏振片，在阵列基板和背光模组之间设置有第二偏振片。现有技术中，上述偏振片(第一偏振片和第二偏振片)包括两层三醋酸纤维素(Triacetyl Cellulose，简称TAC)保护层，以及夹设于TAC保护层之间的第一聚乙烯醇(Poly VinglAlcohol，简称PVA)材料层。这样形成的偏光片的厚度较大，导致最终形成的显示装置的厚度较大，对于实现超薄显示装置带来限制，甚至无法实现显示装置的超薄设计。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，解决了现有的显示器件中的偏振片厚度过大，导致形成的显示器件的厚度过大的问题，实现了显示装置的超薄化设计，同时，可以降低像素电极层上的电阻，提高了电荷的迁移率，增强了显示器件的显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板、形成在所述衬底基板上的像素电极层，所述像素电极层的表面设置有第一线栅偏振膜；

所述像素电极层的表面为所述像素电极靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面。

可选的，所述阵列基板还包括：形成在所述衬底基板上的信号线，其中：

所述信号线的表面设置有第二线栅偏振膜；

所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；

所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。

可选的，所述信号线包括数据线和栅线中的至少一种。

可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距为80～150nm。

可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的材料为铝、银或者铝和银的合金。

可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。

第二方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素电极层；

在所述像素电极层的表面形成第一线栅偏振膜；

所述像素电极层的表面为所述像素电极层靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面。

可选的，所述方法还包括：

在衬底基板上形成信号线；

在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜；

所述信号线的表面为所述信号线靠近所述衬底基板的一面或远离所述衬底基板的一面；

所述第二线栅偏振膜和所述第一线栅偏振膜的偏振方向相同。

可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：

采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；

通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。

可选的，所述在所述像素电极层的表面，形成第一线栅偏振膜，包括：

采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述像素电极层的表面形成一层金属薄膜；

通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第一线栅偏振膜。

可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：

采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；

通过曝光、显影、刻蚀构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。

可选的，所述在所述信号线的表面形成第二线栅偏振膜，包括：

采用铝、银或者铝和银的合金材料在所述信号线的表面形成一层金属薄膜；

通过压印光刻构图工艺处理所述金属薄膜，形成所述第二线栅偏振膜。

可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的栅距均为80～150nm。

可选的，所述第一线栅偏振膜和所述第二线栅偏振膜的厚度为100～200nm。

第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一阵列基板。