[发明专利]阵列基板及其断线修补方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板(1)，位于所述基板(1)上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(1)上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层(8)上的第二钝化层(10)；

其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(1)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的交叉口处形成有第一通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该第一通孔处形成第一开口(11)；

所述第一开口(11)用于当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)发生断线时，通过在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端的第一开口(11)之间利用镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口(11)的大小为15μm×15μm。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机层(9)为色阻层或者平坦层；所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的材料为无机材料；所述有机层(9)的厚度大于所述第一钝化层(8)和第二钝化层(10)的厚度。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第二开口(13)，所述第二开口(13)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第二通孔处形成。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上对应栅极扫描线(2)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第三开口(14)，所述第三开口(14)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第三通孔处形成。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二开口(13)的大小为7μm×7μm。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开口(14)的大小为7μm×7μm。

8.一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于，所述阵列基板包括：基板(1)，位于所述基板(1)上的栅极扫描线(2)，位于所述栅极扫描线(2)和基板(1)上的栅极绝缘层(4)，位于所述栅极绝缘层(4)上的源漏极数据线(5)，位于所述源漏极数据线(5)与栅极绝缘层(4)上的第一钝化层(8)，位于所述第一钝化层(8)上的有机层(9)，以及位于所述有机层(9)与第一钝化层(8)上的第二钝化层(10)；

其中，所述栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)在基板(1)上垂直交叉排列，所述有机层(9)上对应于栅极扫描线(2)与源漏极数据线(5)的每一交叉口处形成有第一通孔，所述第二钝化层(10)沉积于该第一通孔处形成第一开口(11)；

当所述阵列基板上的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)发生断线时，通过在栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)上位于断线处两端的第一开口(11)之间利用镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的栅极扫描线(2)或源漏极数据线(5)恢复连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板的断线修补方法，其特征在于，所述阵列基板上对应源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间还设有第二开口(13)，所述第二开口(13)通过所述第二钝化层(10)沉积于有机层(9)上的第二通孔处形成；

当所述阵列基板上的源漏极数据线(5)发生断线，且所述源漏极数据线(5)上两相邻的第一开口(11)之间的距离较大，超过机台断线修补能力时，在断线处两端的第一开口(11)和第二开口(13)之间通过镭射化学气相沉积形成金属长线(16)，使得断开的源漏极数据线(5)恢复连接。